reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 13 kwietnia 2015

Wszechstronny i bardzo wytrzyma艂y sterownik bramek tranzystorowych

Nowe sterowniki bramek r贸偶nych tranzystor贸w pozwalaj膮 na wi臋ksz膮 elastyczno艣膰 w ich stosowaniu dzi臋ki wysokiej niezawodno艣ci i wytrzyma艂o艣ci na temperatury nawet 225 stopni Celsjusza. Aplikacje stan膮 si臋 dzi臋ki temu te偶 efektywniejsze.
Firma CISSOID wprowadzi艂a na rynek drug膮 generacj臋 swoich uk艂ad贸w HADES. S膮 to izolowane sterowniki bramek przeznaczone do pracy w aplikacjach o wysokiej g臋sto艣ci energii, jak konwertery energii, sterowniki silnik贸w, itp. Pracowa膰 mog膮 z tranzystorami z w臋glika krzemu (SiC), klasycznymi uk艂adami MOSFET oraz IGBT. Nowa wersja uk艂ad贸w HADES wprowadza wysok膮 niezawodno艣膰 podczas pracy w najtrudniejszych warunkach. Zamkni臋te w specjalnych obudowach s膮 w stanie bezproblemowo pracowa膰 w temperaturze do nawet 225 stopni Celsjusza. Mowa tu o obudowach ceramicznych QFP-32. Dost臋pna jest tak偶e obudowa standardowa, plastikowa QFP-44, przeznaczona do pracy w aplikacjach gdzie liczy si臋 偶ywotno艣膰, a temperatura pracy nie przekracza 175 stopni Celsjusza. Uk艂ady te oferuj膮 wszelkie funkcje do sterowania r贸偶nymi bramkami w izolowanym p贸艂-mostku pracuj膮cym przy wysokim napi臋ciu. Ca艂o艣膰 sk艂ada si臋 tak naprawd臋 z trzech element贸w, jak czytamy w notatce producenta. HADES2P odpowiadaj膮 za stron臋 pierwotn膮, HADES2S to elementy strony wt贸rnej. ELARA to komponenty specjalnego zestawu diod. Pierwszy element integruje w sobie kontroler fly-back pracuj膮cy w trybie pr膮dowym ze zintegrowanym prze艂膮cznikiem o rezystancji 0.8 惟, jak r贸wnie偶 konfigurowalne zabezpieczenia (UVLO). Jest tu tak偶e czterokana艂owy transceiver z izolacj膮 dla realizacji funkcji PWM, itp. HADES2S zawiera w sobie driver o wydajno艣ci 12 A, zabezpieczenia konfigurowalne UVLO i termiczne OTP, jak r贸wnie偶 wykrywanie b艂臋d贸w, itp. Jest tu r贸wnie偶 transceiver 2-kana艂owy. Wysoka wytrzyma艂o艣膰 uk艂ad贸w HADESv2 pozwala na wi臋ksz膮 elastyczno艣膰 w kwestii ich umiejscowienia w urz膮dzeniu, nawet stosunkowo blisko silnych 藕r贸de艂 ciep艂a, bli偶ej tranzystor贸w co pozwoli膰 ma na redukcj臋 zjawisk paso偶ytniczych w przewodach, itp. Zmniejszy膰 ma te偶 to wymagania jak i wielko艣膰 aplikacji, a tak偶e mo偶liwe ma by膰 dzi臋ki temu zwi臋kszenie cz臋stotliwo艣ci prze艂膮czania, jak podaje producent.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 19 2019 15:52 V12.2.2-1