reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 08 kwietnia 2015

Wydajne tranzystory GaN na 600 V w obudowie TO-247

Nowe tranzystory Transphorm s膮 komponentami o wysokiej wydajno艣ci. Realna redukcja strat i szybka praca to g艂贸wne, cho膰 nie wszystkie ich zalety. Mog膮 pozwoli膰 na osi膮ganie sprawno艣ci nawet 99%, jak podaje producent.
Firma Transphorm wprowadzi艂a na rynek swoje nowe tranzystory 鈥濹uiet Tab鈥 TPH3205WS. S膮 to tranzystory o niskim Rds(ON) wynosz膮cym 63 m惟. Pracowa膰 mog膮 z pr膮dem o nat臋偶eniu nawet 34 V. Napi臋cie pracy dochodzi膰 mo偶e do 600 V. S膮 komponentami przeznaczonymi do pracy w wymagaj膮cych aplikacjach zasilaj膮cych, jak np. falowniki o mocy nawet 3 kW. Zbudowano je w oparciu o najnowsze techniki co pozwoli艂o zredukowa膰 EMI do minimum przy wysokich warto艣ciach dv/dt. Umo偶liwia to realn膮 redukcj臋 strat przy prze艂膮czaniu, a tak偶e szybk膮 prac臋 (z wysokimi cz臋stotliwo艣ciami). Wysok膮 efektywno艣膰 pracy tych tranzystor贸w potwierdzaj膮 przyk艂adowe konstrukcje falownik贸w (inwerter贸w). Przy pracy z cz臋stotliwo艣ci膮 100 kHz szczytowa sprawno艣膰 takiego falownika wynosi艂a a偶 98.8%, a przy 50 kHz a偶 99%, jak poda艂 producent. Jest to mo偶liwe, dzi臋ki wspomnianej nowoczesnej konstrukcji i zastosowanym rozwi膮zaniom zwi膮zanym z GaN. Pierwsze tranzystory TPH3205WS, kt贸re umieszczono w obudowie TO-247, dost臋pne maj膮 by膰 pod koniec czerwca 2015 roku.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 20 2019 12:04 V12.2.3-2