reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq
Komponenty |

FeFET rozwinięciem prawa Moore'a

Nowe tranzystory pamiętające swój stan, to tylko przedsmak tego co oferować ma technologia FeFET. Mimo, że w powijakach, już teraz symulacje ukazują jej niemały potencjał.

Grupa naukowców z Uniwersytetu Texasu (Austin) przedstawiła projekt nowej technologii tranzystorów FeFET. Opiera się ona na wykorzystaniu ferroelektrycznej bramki nad kanałem z germanu. © University of Texas Nowa technologia wydaje się być obiecują, jeśli chodzi o rozwinięcie komputerów i nie tylko. Stanowić ma nawet rozwinięcie praw Moore'a. Jednak naukowcom nie udało się jeszcze zbudować w pełni działającego prototypu. Do tej pory udało im się wykonać jedynie udane symulacje, wykorzystując potężne superkomputery w placówkach badawczych. Te symulacje, jak i inne badania nad tą technologią pokazały, że układy takie da się wykonać. Tranzystory FeFET dają ciekawe możliwości. Gdyby zbudować cały komputer wykorzystując tą technologię, to po wyłączeniu zasilania i ponownym załączeniu, komputer w przeciągu kilku milisekund obudził by się w (zapamiętanym) stanie, w którym był. Więc jego uruchamianie to byłaby chwila. Naukowcy podają też, że pamięci zbudowane z tych elementów byłyby szybsze niż DRAM, a przy tym gęstsze niż Flash. Jednakże nie zostało to jeszcze potwierdzone badaniami, gdyż projekt modułu pamięciowego jeszcze nie powstał. Przypuszczenia te oparto na dotychczas wykonanych badaniach i symulacjach. Obecnie trwają prace nad technikami fizyko-chemicznymi, które pozwoliłyby wprowadzić ten projekt w życie i zbudować pierwsze komponenty. Wszystko też będzie dążyć do tego, by przygotować odpowiednie metody wytwarzania, dla produkcji masowej. Problemem wydają się być struktury germanowe, dla budowy kanałów przesyłu energii w komponencie FeFET. Największą barierą jednak jest stworzenie warstwy BaTiO3, w odpowiedniej trójwymiarowej formie tak, by dipole były skierowane idealnie pionowo. Sprawi to, że układy te staną się najefektywniejsze. Zastosowaniem mają być tranzystory do budowy układów scalonych, pamięci nieulotne i układy logiczne, a nawet nowoczesne, super wydajne panele fotowoltaiczne.

reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 28 2024 10:16 V22.4.20-2
reklama
reklama