reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 23 grudnia 2014

Sterowniki bramek poprawiające efektywność

Nowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET pozwalają osiągnąć wyższą efektywność dzięki lepszemu sterowaniu czasem ich załączania i wyłączania, a także m.in. dzięki dużemu wzmocnieniu.
Firma Diodes Inc przedstawiła parę nowych sterowników bramek przeznaczonych do kontroli tranzystorów MOSFET wysokich mocy. Oznaczone zostały symbolami ZXGD3009E6 i ZXGD3009DY. Zamknięte zostały w obudowie odpowiednio SOT26 i SOT363. Mają pomóc zredukować straty przy przełączaniu, poprawić gęstość mocy i ogólnie poprawić efektywność pracy, jak podaje producent. Komponenty te pracować mogą z napięciem do 40 V, a ich wydajność prądowa wynosić ma nawet 1 A. Dzięki buforowi o wysokim wzmocnieniu, możliwe jest zapewnienie na wyjściu prądu o natężeniu 500 mA przy sygnale sterującym o natężeniu 10 mA. Zapewniać ma to szybką pracę tranzystora, także przy obciążeniach pojemnościowych. Opóźnienie czasu propagacji wynosić ma tylko 5 ns. Czas narastania i opadania wynosić ma tylko 20 ns. Dzięki oddzielnym sekcjom wyjściowym odpowiadającym za włączanie i wyłączanie tranzystora, komponent ten może pracować efektywniej i dokładniej w bardziej wymagających aplikacjach. Co więcej, sterować one mogą tranzystorami negatywnie, jak i pozytywnie. Możliwe jest też 'twarde' wyłączenie tranzystora. Dostać je będzie można w cenie już od około 0.10 USD przy zamówieniach hurtowych na 1000 sztuk.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 21 2019 15:37 V12.5.12-1