Jednokanałowy sterownik bramek z wbudowaną izolacją galwaniczną

Firma STMicroelectronics zaprezentowała swój nowy układ oznaczony symbolem STGAP1S. Jest pierwszym przedstawicielem nowej generacji sterowników „gapDRIVE”. Układy te, podobnie jak omawiany komponent, cechuje wbudowana izolacja galwaniczna. Stworzono go z myślą o uproszczeniu konstrukcji poprzez eliminację dodatkowych układów wprowadzających wspomnianą izolację. Układ stworzono przy wykorzystaniu technologii bipolar-CMOS-DMOS (BCD) z kilkoma innowacjami, które pozwoliły uzyskać odpowiednią izolację. Ta została, jak czytamy w notatce producenta, „wychodowana” na odpowiedniej strukturze przewodzącej. Wytrzymać ma ona 1500 V, skutecznie chroniąc obwód logiki. Zwiększa to bezpieczeństwo i niezawodność aplikacji, w której zawarty może być układ. Przykładem mogą być urządzenia przemysłowe, falowniki na napięcie 600, a nawet 1200 V, zasilacze solarne, UPS, itp. Opóźnienie przekazywania sygnałów, przez warstwę izolacyjną, wynosić ma 100 ns. Możliwa jest praca z dokładnymi sygnałami PWM. Jest tu też wyjście rail-to-rail, a obsługiwany prąd może mieć natężenie nawet 5 A. Pracować mogą z tranzystorami IGBT i nowoczesnymi MOSFET'ami SiC. Całość pomyślano tak, by dawała bezpieczeństwo w tworzonej aplikacji przy oszczędności miejsca. Parametry pracy sprawiają, że układ jest też bardzo elastyczny w kwestii zastosowania. Możliwe jest też proste konfigurowanie układu i podgląd stanu pracy, dzięki wbudowanemu interfejsowi SPI. Układ zamknięto w obudowie SO24W. Ceny zaczynać się mają od 3 USD przy zamówieniu 1000 sztuk.