Szerokopasmowy tranzystor RF Power GaN

Firma Freescale przedstawiła tranzystor RF oznaczony symbolem MMRF5014H. Jest to komponent wykonany w technologii GaN-on-SiC o mocy 125 W (CW). Dodatkową zaletą jest szerokie obsługiwane pasmo pracy, pozwalające na zastosowanie go w takich aplikacjach jak militarny sprzęt komunikacyjny, jak również naukowy, itp. W przykładowej aplikacji (reference circuit design) udało się uzyskać moc 100 W w paśmie od 200 do 250 MHz ze wzmocnieniem 12 dB. W wąskich pasmach może pracować z mocą nawet 125 W. Wydajność układu określono na 58%. Wydajność termiczna jednak jest najlepsza wśród układów tej klasy i wynosi 1 stopnień/W. Odporność VSWR również jest wyjątkowa i wynosić ma 20:1. Przeznaczeniem tranzystora są aplikacje wymagające i trudne. Przykładem może być wspomniany sprzęt wojskowy. Komponent ten objęty jest również specjalnym programem producenta „Longevity”. Firma Freescale daje gwarancję od 10 do nawet 15 lat na swoje produkty.