Wysokowydajne MOSFET'y w kompaktowych obudowach DSOP

Firma Toshiba Electronics wzbogaciła swoją ofertę wysokowydajnych, niskonapięciowych tranzystorów MOSFET, wykonanych w najnowszych technologiach, o komponenty zamknięte w niewielkich, dwustronnie chłodzonych obudowach DSOP. Obudowa DSOP Advance, bo o niej mowa, ma wymiary 5 na 6 mm. Pod tym względem jest więc taka sama jak SOP Advance. Jednakże specjalna, nowoczesna budowa DSOP Advanced, pozwoliła na redukcję nagrzewania się układu o ponad 34% (przy napięciu 30 V i 30 A). W niektórych przypadkach pozwalać ma to na zrezygnowanie z radiatora, dzięki obniżonej rezystancji termicznej. W tych obudowach umieszczone mają być komponenty rodziny technologicznej UMOS VIII-H oraz IX-H. Technologie te cechuje bardzo niska wartość Rds(ON) i niska pojemność wyjściowa. Pozwala to osiągać niesamowicie wysoką wydajność przełączania. W obudowach tych znajdą się komponenty przeznaczone do pracy z napięciem od 30 do 100 V. Wśród elementów docelowych mają być zaawansowane systemy prostownikowe w urządzeniach zasilających wysokiej klasy, jak te dające energię serwerom, sprzętom komunikacyjnym, itd.