reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 13 listopada 2014

Ultra-niskie Rds(ON) w MOSFET'ach 75 V

Nowe tranzystory MOSFET cechuje niska wartość Rds(ON), która poprawia ich wydajność. Lecz nie tylko to jest ich zaletą. Potrafią sobie radzić z bardzo dużymi prądami, także lawinowymi, co potwierdzone jest testami jednostkowymi.

Firma International Rectifier rozszerzyła swoją ofertę tranzystorów z rodziny StrongIRFET. Mowa tu o tranzystorach MOSFET, przeznaczonych do pracy z dużymi prądami i napięciem do 75 V. Są to mocne tranzystory mocy zaprojektowane do pracy w:
  • falownikach (i innych układach sterujących) w lekkich pojazdach elektrycznych (LEV),
  • sterownikach silników prądu stałego,
  • systemach ochrony pakietów Li-Ion,
  • Hot-Swap,
  • zasilaczach SMPS,
  • i innych podobnych zastosowaniach.
Tranzystory te cechuje poprawiona efektywność dzięki znacznej redukcji rezystancji Rds(ON) jak podaje producent. Wydajność ta zwiększona ma być głównie w aplikacjach, gdzie tranzystory pracować mają z niskimi częstotliwościami. Układy te cechuje także „soft body diode” i możliwość radzenia sobie nawet z bardzo dużymi prądami. Napięcie progowe wynosić ma 3 V, co poprawić ma odporność na szumy i zakłócenia. Każdy z komponentów jest testowany na prądy lawinowe, co zapewniać ma solidność konstrukcji, a także ich niezawodność i wytrzymałość w najbardziej wymagających aplikacjach przemysłowych. Firma International Rectifier dostarcza także ich modele Spice, na swojej stronie internetowej zainteresowanym, którzy chcieliby przed zakupem przetestować ich możliwości symulacyjnie/matematycznie.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
June 25 2019 20:13 V13.3.22-1