reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 03 lipca 2009

Siemens opracował rewolucyjną metodę wytwarzania foto diod

Naukowcy z Siemens Corporate Technology (CT) opracowali efektywną kosztowo metodę produkcji paneli na bazie organicznych foto diod. Nowa technologia oparta jest zamiast na tradycyjnych metodach ich umieszczania na zastosowaniu techniki układania natryskowego.

Według Siemens, foto diody produkowane w ten sposób charakteryzują się dużą efektywnością oraz czułością, zachowując jednocześnie długi okres żywotności. Nowa technologia może umożliwić efektywną kosztową produkcję detektorów o znacznych rozmiarach. W celu produkcji diod organicznych nową metodą, sztuczny materiał półprzewodnikowy oraz pochodne węgla są rozpuszczane w cieczy i nanoszone na podłoże natryskowo. W przeciwieństwie do diod krystalicznych, koszt wykonania komponentów organicznych jest nieomal niezależny od ich wymiarów. Postęp dokonany za pomocą nowo opracowanej technologii polega głównie tym, iż roztwór nanoszony jest na powierzchnię za pomocą nanoszenia natryskowego. Metoda ta jest szybka i tania, do tej pory jednak za jej pomocą produkowano diody o nieco gorszej jakości. Jednak inżynierowie Siemens twierdzą, iż za pomocą ich technologii możliwa jest produkcja aktywnych półprzewodników o dość dobrej jakości, których efektywność sięga 75%. Okres działania tak wyprodukowanych diod sięga w ocenie naukowców sześciu lat, co umożliwia ich zastosowanie w aplikacjach związanych z tomografią komputerową. Opóźnienie obrazu – kolejny ważny parametr w tego typu aplikacjach – jest znacznie mniejsze, aniżeli w przypadku foto detektorów wykonanych z amorficznego silikonu. Prototyp, wykonany przez naukowców Siemens, ma 256 na 256 pikseli, jednak wkrótce spodziewane jest stworzenie panelu o wymiarach 1000 na 1000 pikseli. Siemens CT planuje wprowadzić na rynek tę technologię, a pierwszym klientem może stać się dywizja Siemens Healthcare, która już wykazała duże zainteresowanie tą techniką.
Załaduj więcej newsów
September 20 2019 17:48 V14.4.1-1