MRAM wreszcie pokazane

Firma TDK podczas targów Ceatec w Japonii przedstawiła prototyp układu pamięci typu MRAM. Znana też jest pod nazwą STT-RAM lub STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory). Czemu jednak te pamięci są tak niezwykłe? Już wyjaśniamy. Pamięć MRAM jest w stanie zapisywać i odczytywać dane równie szybko co ulotne pamięci klasy SRAM czy DRAM. Jednak po odłączeniu zasilania dane w nich zapisane nie znikają. Przypominają więc po tym względem pamięci NAND/Flash. Sam pomysł na MRAM nie jest jednak nowy. Pierwsze prototypy w 2008 pokazała firma Freescale, jednakże ich produkcja była bardzo droga, a ilość zapisywanych danych nieduża. Firmie TDK udało się znacznie usprawnić je, tworząc nie tylko układy tańsze, ale i efektywniejsze. Dane zapisywane są przez ładunek magnetyczny, a nie elektryczny. Wykorzystuje się zjawisko magnetorezystancji. Dane z kolei odczytuje się przez pomiar wartości rezystancji, która determinuje, czy w danej komórce zapisano 0 czy 1. Podczas pokazu posłużono się prostym porównaniem. Pamięć MRAM zestawiono z pamięciami Flash, ukazując że nowy prototyp jest dużo szybszy. Obecnie firma TDK szuka partnera, który podejmie się masowej produkcji tych układów. Nie wiadomo więc kiedy nowe pamięci na dobre zagoszczą na rynku, chociaż pierwsze kości (w małej skali) już teraz wykorzystuje firma Everspin (współpracująca z Buffalo Memory) w dyskach SSD jako bufory danych.