Tranzystory radarowe 15 W GaN on SiC

Firma MA-COM Technology Solution pokazała swoje nowe wytrzymałe tranzystory wykonane w technologii GaN-on-SiC. Oznaczono je symbolami MAGX-000035-015000 i MAGX-000035-01500S. Są to komponenty pozłacane o wysokiej wydajności, przeznaczone do zastosowań głównie RF. Pracować mogą impulsowo z mocą do 15 W oferując wzmocnienie 15.5 dB przy sprawności 63%. Stworzono je przy wykorzystaniu procesów fabrykacji odpowiednich warstw, pozwalając na osiągnięcie wysokiego wzmocnienia, sprawności i zakresu obsługiwanych pasm. Pasma, które są obsługiwane przez te tranzystory sięgają nawet 3.5 GHz (od DC). Są niezwykle żywotne i wytrzymałe na różnego rodzaju zakłócenia środowiskowe. Zamknięto je w obudowach ceramicznych z kołnierzem i bez kołnierza. Odpowiednia obudowa przyczyniła się do podniesienia efektywności termicznej tranzystorów. Zastosowaniem mają być głównie urządzenia radarowe różnego rodzaju, zarówno te wojskowe, jak i cywilne.