reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 15 września 2014

Nowości Vishay na electronica 2014

„electronica 2014” już niedługo. Zapewne będzie co oglądać. Niektóre firmy już zdradzają co zostanie tam pokazane. Jedną z nich jest Vishay Intertechnology, która zdradziła nam, co ciekawego będzie można w listopadzie zobaczyć na ich stoisku.

Firma Vishay będzie aktywna na tegorocznych targach „electronica 2014”. Przedstawione zostaną fizycznie najnowsze komponenty tego producenta. Jednym z przykładowych elementów ma być niedawno opisywana u nas fotodioda z kwalifikacją motoryzacyjną. Innym przedstawianym elementem mają być nowe diody prostownicze Schottky'iego w małej obudowie eSMP (DO-219AB). Cechować je ma niski prąd wsteczny i upływu, a jednocześnie wysoki przewodzenia (nawet 2 A). Komponenty zawierają jedną standardową barierę, trzy Schottky'iego oraz trzy prostowniki FRED Pt HyperFast i UltraFast. Dzięki temu mogą pracować w wielu wymagających zastosowaniach, także z wysokimi częstotliwościami. Polimerowe kondensatory tantalowe to kolejna nowość Vishay. To co ma je wyróżniać to m.in. bardzo niska wartość ESR i niewielkie wymiary. Udało się je zamknąć w małych i niskoprofilowych obudowach klasy B oraz A, J i P. ESR wynosić ma tylko 30 mΩ w temperaturze 25 stopni Celsjusza. W ofercie sprzedażowej pojawią się komponenty o pojemności od 3.3 uF do 330 uF. Pracować będą mogły, zależnie od modelu, z napięciem od 2,5 do 10 V. Na targach przedstawione też zostaną małe rezystory mocy (Power Metal Strip) w obudowie 2818 o mocy nawet 5 W. Nowoczesna konstrukcja pozwoliła zejść z rezystancją do 1 mΩ. Niewielkie wymiary komponentu tego typu pozwolą zredukować miejsce na płytce zajmowane przez gotowe aplikacje w branżach motoryzacyjnych, przemysłowych i konsumenckiej. Pokazane zostaną także nowoczesne tranzystory. Przykładem są MOSFET'y 40 V w obudowach PowerPAK, jako zastępstwo dla DPAK i D2PAK. Nowe tranzystory stworzono przy wykorzystaniu technologii TrenchFET i zamknięto w obudowie 8x8L o wymiarach 8 na 8 mm. W tej technologii (TrenchFET) przedstawione mają być także tranzystory IGBT, które w stosunku dla klasycznych braci mają zredukować straty przy przewodzeniu i przełączaniu, zwiększając efektywność gotowych aplikacji. Pracować mają (zależnie od modelu) z napięciem 600 lub 650 V. Zastosowano w nich technologię PS (Punch Through) i FS (Field Stop). Jak podaje producent, mają załączać się szybko, ale jednocześnie „miękko”. Podobnie z ich wyłączaniem. Poleca się ich wykorzystanie w parze z opisanymi wyżej diodami FRED Pt, dla budowy jeszcze wydajniejszych aplikacji dużych mocy, w zasilaczach, urządzeniach sterujących, itd. Warto dodać, że niemal wszystkie z opisanych powyżej elementów zaprojektowano z myślą o wysokiej niezawodności i wytrzymałości. Świadczy o tym kwalifikacja motoryzacyjna AEC-Q100. Szczegóły ich działania przedstawione zostaną na wspomnianych targach w listopadzie.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 21 2019 15:49 V14.1.4-1