Tranzystory GaN 45 W o 2-krotnie większym wzmocnieniu

Firma RFWM przedstawiła nowe tranzystory wykonane w technologii GaN on SiC od firmy TriQuint. Oznaczono je symbolami T1G4004532-FL i T1G4004532-FS. Pierwszy komponent jest w klasycznej formie z „uszami”, drugi zaś w bardziej kompaktowej obudowie. Cechuje je szeroki zakres pracy, od DC do 3,5 GHz. Oferują również bardzo wysokie wzmocnienie wynoszące 17 dB. Jak podaje producent, to nawet dwa razy więcej, niż inne podobne produkty konkurencyjne wykorzytujące technologię GaN. Oba komponenty dostosowano do pracy z pasmami S-band. Oba też pracować mogą z napięciem do 32 V obsługując moc do 45 W. Dodatkowymi zaletami mają być usprawnienia strukturalne objawiające się niską rezystancją termiczną materiału podstawowego, itd. Specjalna obudowa pozwala na zastosowanie ich w wymagających aplikacjach, wliczając w to różnego rodzaju radary, ale też sprzęt przemysłowy, maszyny i inne urządzenia.