Grupa naukowców z Berkley Lab opracowała nowy tranzystor FET. Jest to struktura dwuwymiarowa gruba na sześć atomów. Do jego produkcji wykorzystano grafen, azotek boru i molibdenit. Do stworzenia tego tranzystora wykorzystano metodę mikro-mechanicznego złuszczania, co przypomina odrywanie pojedynczych warstw o grubości jednego atomu „taśmą klejącą”. Warstwy grafenu, molibdenitu i h-BN ułożono w kolejnym kroku na podłożu krzemowym i za pomocą litografii stworzono tranzystor. Warstwy utrzymywane są dzięki siłom van der Waalsa. Grafen służy głównie jako element bramki, drenu i źródła. Jest bardzo wytrzymałym i dobrym przewodnikiem, lecz nie posiada przerwy energetycznej. Pozwala ona sterować przepływem elektronów. Tu w grę wkroczył molibdenit, jako materiał o bardzo dobrej przerwie, stanowiąc bramę. Heksagonalna wersja azotku boru (h-BN) pełni rolę izolatora. Taka konstrukcja dała w efekcie pierwszy na świecie dwuwymiarowy tranzystor FET. Pierwsze badania wykazały, że nowy tranzystor jest szybki. Przyczynić się ma do stworzenia nowej architektury dla układów elektronicznych, jeszcze wydajniejszych. Dodatkową zaletą jest to, że w stworzonym tranzystorze ilość ruchliwych elektronów nie zmienia się, wraz ze zmianą temperatury. Obecnie naukowcy stać mają przed problemem, jak efekt pracy w laboratorium przenieść na skalę przemysłową. Jednakże jeśli postęp w kwestii produkcji grafenu będzie się utrzymywał, być może już niedługo ujrzymy nową generację układów elektronicznych.