© Evertiq
Komponenty |
Małe i wydajne diody LED GaN-on-Si
Firma TEE zaprezentowała swoje nowe diody o mocy 0,6 i 1 W cechujące się efektywnością do 135 lm/W, zamknięte w małej obudowie około 3 na 3 mm, a dodatkową zaletą ma być możliwość pracy z niskim napięciem 2,85 V.
Firma Toshiba Electronics Europe wprowadza na rynek nowe diody LED. Podzielono je na dwie serie: TL1L2 i TL3GB. Pierwsza seria to diody niskonapięciowe, gdyż napięcie przewodzenia potrzebne do ich zasilenia to 2,85 V. Druga z kolei wymaga napięcia 5,76 V. Pobór prądu to odpowiednio 350 i 100 mA.
Komponenty te wykonano w technologii GaN-on-Si (azotek galu na podłożu krzemowym). To właśnie to pozwoliło obniżyć napięcie pracy, poprawić efektywność i zredukować koszty, jak podaje producent.
W ofercie znajdą się komponenty o mocy 1 W i 0,6 W. Ich wydajność wynosić ma odpowiednio 135 lm/W i 118 lm/W, dla temperatury barwowej emitowanego światła 5000 K przy Ra odpowiednio 70 i 80.
Dostępnych ma być sześć wariantów kolorystycznych z palety barw od 2700 do 6500 K. Znaleźć mają swoje miejsce niemalże w każdej branży, wykorzystującej LEDy, wliczając w to oświetlenie budynków, sufitów i podłóg, lamp w formie żarówek, itp. Komponenty te zamknięto w malutkich obudowach o wymiarach 3,5 na 3,5 dla diody o mocy 1 W i 3 na 3 mm dla LED o mniejszej mocy.
