reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Samsung Komponenty | 18 marca 2014

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DDR3 w 20 nm

Producent zapewnia, że moduły pamięci DRAM o pojemności 4 GB wykonane w 20 nm to najbardziej zaawansowane technologicznie układy na rynku.


Przejście na 20 nm poprawia wydajność produkcji – jest ona nawet o 30% wyższa niż przy stosowaniu 25 nm procesu, a poprawia się o 50%, gdy porównamy z produkcją w 30 nm – pisze Samsung w komunikacie prasowym. Dużo lepsze wyniki osiąga się także pod względem zużycia energii. Przy 20 nm można zaoszczędzić nawet 25% energii w porównaniu do analogicznym modułów produkowanych w 25 nm. Samsung zakończył prace na chipami wykonywanymi w 20 nm już w zeszłym roku, ale dopiero teraz trafiają one na rynek. Południowokoreański gigant zapewnia, że to kolejny krok w drodze do produkcji pamięci DRAM w procesie technologicznym 10 nm. Zgodnie z szacunkami firmy Gartner, wartość światowego rynku pamięci DRAM wzrośnie w 2014 roku do 37,9 mln USD z 35,6 mld USD w roku 2013. --- © Samsung
Załaduj więcej newsów
August 06 2019 20:55 V14.1.1-2