© Samsung
Komponenty |
Przejście na 20 nm poprawia wydajność produkcji – jest ona nawet o 30% wyższa niż przy stosowaniu 25 nm procesu, a poprawia się o 50%, gdy porównamy z produkcją w 30 nm – pisze Samsung w komunikacie prasowym.
Dużo lepsze wyniki osiąga się także pod względem zużycia energii. Przy 20 nm można zaoszczędzić nawet 25% energii w porównaniu do analogicznym modułów produkowanych w 25 nm.
Samsung zakończył prace na chipami wykonywanymi w 20 nm już w zeszłym roku, ale dopiero teraz trafiają one na rynek. Południowokoreański gigant zapewnia, że to kolejny krok w drodze do produkcji pamięci DRAM w procesie technologicznym 10 nm.
Zgodnie z szacunkami firmy Gartner, wartość światowego rynku pamięci DRAM wzrośnie w 2014 roku do 37,9 mln USD z 35,6 mld USD w roku 2013.
---
© Samsung
Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DDR3 w 20 nm
Producent zapewnia, że moduły pamięci DRAM o pojemności 4 GB wykonane w 20 nm to najbardziej zaawansowane technologicznie układy na rynku.
Przejście na 20 nm poprawia wydajność produkcji – jest ona nawet o 30% wyższa niż przy stosowaniu 25 nm procesu, a poprawia się o 50%, gdy porównamy z produkcją w 30 nm – pisze Samsung w komunikacie prasowym.
Dużo lepsze wyniki osiąga się także pod względem zużycia energii. Przy 20 nm można zaoszczędzić nawet 25% energii w porównaniu do analogicznym modułów produkowanych w 25 nm.
Samsung zakończył prace na chipami wykonywanymi w 20 nm już w zeszłym roku, ale dopiero teraz trafiają one na rynek. Południowokoreański gigant zapewnia, że to kolejny krok w drodze do produkcji pamięci DRAM w procesie technologicznym 10 nm.
Zgodnie z szacunkami firmy Gartner, wartość światowego rynku pamięci DRAM wzrośnie w 2014 roku do 37,9 mln USD z 35,6 mld USD w roku 2013.
---
© Samsung
