reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 18 lutego 2014

Tranzystor HEMT 150 W GaN on SiC

Nowy tranzystor HEMT o mocy 150 W od MACOM przeznaczony jest do aplikacji impulsowych. Cechuje go wzmocnienie 18 dB i efektywność 58%, a także stabilność i niezawodność przy zwiększonym obciążeniu.
Firma MACOM wprowadza na rynek nowy tranzystor typu HEMT o mocy 150 W wykonany w technologii GaN-on-SiC. Układ oznaczono symbolem MAGX-000025-150000. Przeznaczono go do układów mocy pracujących głównie impulsowo, np. RF. Tranzystor cechować się ma wysoką niezawodnością i stabilnością przy bardzo dużym obciążeniu, dzięki zwiększonemu poziomowi napięcia przebicia. Znajdziemy tu cztery pozłacane wyprowadzenia, co dodatkowo ma zwiększać efektywność. Wzmocnienie oferowane przez niego wynosić ma 18 dB, a efektywność 58%. Pracować może z częstotliwością od 1 do 2500 MHz. Producent deklaruje, że jego tranzystor może niezawodnie być wykorzystywany przez nawet 600 lat.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 21 2019 15:37 V12.5.12-2