reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 03 lipca 2013

TrenchFET o niezwykle niskiej rezystancji

Firma Vishay wprowadziła na rynek tranzystory nowej generacji (TrenchFET), które cechują się bardzo niską rezystancją Rds(on) = 0,00135 Ω przy napięciu bramki 4,5 V. Pozwala to znacząco zwiększyć wydajność w całym zakresie obciążeń.

Firma Vishay zaprezentowała nową generację tranzystorów (IV) typu TrenchFET. Są to komponenty o wysokiej wydajności, ale o tym za chwilę. W ofercie znajdziemy: SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP. Cechuje je przede wszystkim technologia w jakiej je wykonano, pozwalająca na osiągnięcie bardzo niskiej rezystancji Rds(on), wynoszącej zaledwie 0,00135 Ω (średnio) przy napięciu bramki na poziomie 4,5 V. To właśnie ta cecha pozwala na osiąganie wysokiej efektywności i to w całym przedziale obciążeń. W stosunku do poprzedniej generacji udało się wartość tej rezystancji zredukować o około 60%. Do włączenia bramki nie potrzeba zbyt wiele energii. Powinno wystarczyć zaledwie 54 nC. Całość udało się zamknąć w niewielkiej obudowie o wymiarach 6,15 na 5,15 typu PowerPAK (dwa pierwsze) i 3,30 na 3,30 mm (również PowerPAK, ostatni z komponentów). Zastosowaniem mają być zasilacze DC/DC, prostowniki synchroniczne, konwertery, itd.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 12 2019 07:31 V14.7.10-2