© Grzegorz Kula / Dreamstime
Komponenty |
Toshiba rozpoczyna masową produkcję w technologii SiC
W odpowiedzi na rosnący popyt ze strony aplikacji przemysłowych i motoryzacyjnych, Toshiba Corporation rozpoczęła seryjną produkcję układów mocy w innowacyjnej technologii węglika krzemu.
Produkcja została rozpoczęta w zakładzie Toshiba w Himeji, prefektura Hyogo Prefecture, Japonia.
Jako pierwsze z całej planowanej rodziny produktów opartych na SiC (silicon carbide), Toshiba rozpoczęła produkcję diod Shotky’ego typu SBD (Schottky Barrier Diodes). Diody te są stosowane w sterownikach mocy w układach fotowoltaicznych, jednak SBD mogą również być implementowane w łącznikach napięcia, gdzie charakteryzują się o 50% lepszą wydajnością w porównaniu do tradycyjnych diod krzemowych.
Analitycy przewidują, iż rynek układów mocy SiC wzrośnie do roku 2020 dziesięciokrotnie. Celem Toshiby jest zdobycie 30% tego rynku do roku 2020.Układy mocy oparte o SiC oferują stabilniejsze warunki pracy - nawet przy wysokich napięciach - w porównaniu do układów wykonanych na bazie krzemu. Dzieje się tak ze względu na znacznie mniejsze rozpraszanie ciepła podczas pracy. Diody SiC stanowią odpowiedź na zapotrzebowanie na mniejsze i bardziej efektywne komponenty ze strony takich aplikacji jak elektronika przemysłowa czy motoryzacyjna.
