reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 28 lutego 2013

Nowe wydajne sterowniki dla IGBT i SiC FET

Firma TI wprowadza na rynek nowe i jak twierdzi, pierwsze tego typu na rynku sterowniki tranzystorów o wydajności 2,5 A, z izolowaną bramką, przeznaczone do pracy z komponentami typu IGBT i FET (SiC).
Firma Texas Instruments wypuściła dwa nowe układy: UCC27531 i UCC27532. Są to sterowniki tranzystorów z wyjściem rozdzielonym, których konstrukcja zapewnić ma jak najwyższą efektywność. Jak zapewnia producent, to pierwsze tego typu sterowniki na rynku.

Oprócz wysokiej wydajności prądowej (prąd szczytowy na poziomie 2,5 A i przebicia 5A) wyróżnia je także bardzo krótki (najkrótszy, wg zapewnień producenta) czas propagacji i zwiększona ochrona systemowa dla bramek izolowanych. Wysoką niezawodność zapewniać ma m.in. bariera z dwutlenku krzemu (SiO2).

Stosowane mają być w wymagających projektach dużych mocy, wliczając w to konwertery (np. falowniki), jak chociażby te stosowane w przemyśle solarnym.

Typowy czas przełączania 17 ns sprzyja poprawie efektywności działania sterowników. Specjalna konstrukcja umożliwia bezpieczne sterowanie tranzystorami IGBT dużych mocy, ale również SiC FET. Nowoczesne wersje tych tranzystorów wymagają izolacji pomiędzy torem mocy a sygnałowym, co pozwala im na pracę w trudnych warunkach (silnie zaszumionych).

Oba sterowniki dostępne będą w obudowie typu SOT-23 o 6-ciu wyprowadzeniach. Wycenione zostały na 0,75 USD przy zamówieniu 1000 sztuk. W dodatkowej ofercie znajdziemy także zestaw ewaluacyjny w cenie 49 USD, jak również model Pspice.


© Texas Instruments

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
June 25 2018 09:38 V9.6.1-1