IGBT z ultraszybką diodą wsteczną

Firma International Rectifier zaprezentowała nową serię tranzystorów IGBT. W jej skład wchodzą takie komponenty jak:

• AUIRGB4062D1,
• AUIRGS4062D1,
• AUIRGSL4062D1.

W strukturze tych elementów zainstalowano ultraszybką diodę, mającą poprawiać parametry tych tranzystorów. Do głównych zalet omawianych półprzewodników należeć mają:

• Bardzo niskie straty przełączania,
• Krótki czas przełączania, ok. 5 us,
• Niski poziom zakłóceń (EMI),
• Dodatki współczynnik temperaturowy VCE.

Tranzystory te mogą pracować z napięciem do 600 V. Maksymalny prąd kolektora wynieść może 59 A w temperaturze 25 stopni Celsjusza lub 39 A w temperaturze 100 stopni. Tak samo przedstawia się prąd przewodzenia diody. Maksymalne napięcie ciągłe bramka-emiter nie powinno przekraczać 20 V (chwilowo do 30 V). Straty mocy dopuszczalne również uzależnione są od temperatury. Wynieść mogą od 246 W, w temperaturze pokojowej, do 123 W, w temperaturze 100 stopni Celsjusza. Spadek napięcia to około 1,57 V. Maksymalna temperatura pracy to 175 stopni Celsjusza, a minimalna -55. Rezystancja termiczna to tylko 0,5 °C/W. Tranzystory te zapakowano w obudowę TO-220AB, D2PAK i TO-262.