MOSFETy trench, którym nie straszne przepięcia

Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowała swoje nowe diody MOSFET wykorzystujące technologię Trench, oznaczone jako TPH1R204PB. Są to komponenty wytrzymałe, dzięki wbudowanej diodzie zwrotnej SRD („soft recovery diode”). Dzięki SRD małe przepięcia pozostają na niskim poziomie, nie zagrażając aplikacji. Sprawia to, że tranzystory te będą się świetnie sprawować w aplikacjach prostownika synchronicznego po stronie wtórnej zasilacza impulsowego, gdzie dodatkowo wymaga się niskiego poziomu emitowanych zakłóceń EMI. Tranzystory te miałyby więc znajdować zastosowanie w różnego rodzaju konwerterach AC-DC oraz DC-DC, jak również przy sterowaniu silnikami (np. w urządzeniach bezprzewodowych). TPH1R204PB jest tranzystorem typu N, którego rezystancja Rds(ON) wynosić ma zaledwie 1.2 mΩ (przy Vgs równym 10V). Qoss wynosić ma 56 nC. MOSFET’y te oferowane mają być w obudowie SOP o wymiarach 5 na 6 mm.