reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 20 listopada 2017

MOSFETy trench, którym nie straszne przepięcia

Nowe tranzystory MOSFET od Toshiby mają dobrze radzić sobie z przepięciami, dzięki wbudowanej diodzie SRD. Świetnie nadadzą się do pracy w aplikacjach prostownika synchronicznego.
Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowała swoje nowe diody MOSFET wykorzystujące technologię Trench, oznaczone jako TPH1R204PB. Są to komponenty wytrzymałe, dzięki wbudowanej diodzie zwrotnej SRD („soft recovery diode”).

Dzięki SRD małe przepięcia pozostają na niskim poziomie, nie zagrażając aplikacji. Sprawia to, że tranzystory te będą się świetnie sprawować w aplikacjach prostownika synchronicznego po stronie wtórnej zasilacza impulsowego, gdzie dodatkowo wymaga się niskiego poziomu emitowanych zakłóceń EMI.

Tranzystory te miałyby więc znajdować zastosowanie w różnego rodzaju konwerterach AC-DC oraz DC-DC, jak również przy sterowaniu silnikami (np. w urządzeniach bezprzewodowych).

TPH1R204PB jest tranzystorem typu N, którego rezystancja Rds(ON) wynosić ma zaledwie 1.2 mΩ (przy Vgs równym 10V). Qoss wynosić ma 56 nC. MOSFET’y te oferowane mają być w obudowie SOP o wymiarach 5 na 6 mm.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 04 2017 21:30 V8.9.2-2