Motoryzacyjne MOSFETy TRENCH 9 we wzmocnionej obudowie

Firma Nexperia (Holandia, należąca do grupy NXP) rozszerzyła swoją ofertę wydajnych tranzystorów mocy MOSFET z linii Trench 9, opartych na technologii o tej samej nazwie. Znaleźć mają zastosowanie przede wszystkim w aplikacjach motoryzacyjnych oraz przemyśle. Tranzystory te łączą w sobie niskonapięciową technologię superzłączową z zaawansowanym projektem obudowy. Dzięki temu udało się połączyć świetną wydajność z wysoką odpornością i trwałością. Komponenty Trench 9 posiadają kwalifikację AEC-Q101. Co więcej, jak zapewnia producent, wygania te są spełnione ze sporym zapasem. Tranzystory świetnie radzą sobie z wysokimi i zmiennymi temperaturami. Oferowane mają być w obudowie LFPAK56E, czyli usprawnionej („enhanced”) wersji LFPAK56. Poprawiono tutaj ogólny projekt obudowy, w tym wyprowadzenia i ramę. Wszystko to wpływa na świetne parametry wytrzymałościowe, ale zaowocowało także redukcją Rds(ON) i zwiększeniem gęstości energii o nawet 30%. Dzięki temu, projektanci mogą zyskać więcej możliwości przy projektowaniu aplikacji, mając do dyspozycji więcej miejsca. Nowe tranzystory w obudowie LFPAK56E mogą bowiem stanowić obecnie zastępstwo dla równie mocnych tranzystorów, do tej pory oferowanych w obudowach D2PAK. Oszczędności w zajmowanym miejscu mogą być więc spore. Nowe tranzystory Nexperii mogą odnaleźć się przy sterowaniu silnikami DC szczotkowymi i bezszczotkowymi, w takich aplikacjach jak systemy wspomagania, systemy zmiany biegów, ABS, ESC, pompy różnego rodzaju, wentylatory, zasilacze DC/DC itd.