reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 18 września 2017

Zaawansowany proces 65 nm na 5 V od TowerJazz

Nowa technologia 65 nm 5 V dla energoelektroniki od TowerJazz ma przynieść gęstsze upakowanieperyferii, przy zachowaniu wysokiej wydajności i mniejszych gabarytów. Stanowić ma następcę dla0.18 um 5 V.
TowerJazz opracowało nowy proces technologiczny CMOS 65 nm na 5 V, przeznaczony dla układów energoelektronicznych, takich jak: oświetlenie LED, przełączniki analogowe, konwerter DC/DC, itp. Ma to być zaawansowana technologia bazująca na podobnej platformie procesowej: motoryzacyjnej 300 mm 65 nm, opracowanej przez Uozu.

Nowa technologie 65 nm 5 V dla energoelektroniki ma cechować się wyraźnie poprawioną efektywnością Rdson i dość niskim kosztem. Ma stanowić następcę procesu 0.18 um 5 V. Dzięki tej technologii poprawić się ma również trwałość komponentów, jak zapewniają twórcy. Posiadać ma ponadto bogate portfolio funkcji analogowych i kombinacji metali, co pozwoli zoptymalizować współczynnik wydajności do kosztów, dla każdej z aplikacji z osobna.

Technologia ta ma wspierać Multi-layer Masking (MLM) oraz MPW. Opcje te mają wpłynąć na redukcję kosztów. Dobre parametry Rdson udało się osiągnąć dzięki grubszym ścieżkom miedzianym i trzymaniu się wytyczonych zasad projektowych.

Wszystko to sprawia, że w technologii tej możliwe było zawarcie większych możliwości i gęstsze upakowanie peryferii analogowych w pojedynczej strukturze, przy zachowaniu bardzo dobrej wydajności i przy minimalnej ilości masek. Redukcja zajmowanej powierzchni wynosić ma około 30%.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 16 2017 14:56 V8.8.6-1