Superzłączowe tranzystory CoolMOS na 700 V

Firma Infineon Technology zaprezentowała swoje nowe tranzystory, zbudowane w oparciu o nową technologię superzłączową MOSFET. Nowe tranzystory oznaczono jako CoolMOS. Całość stworzono tak, by spełniały wymagania stawiane nowoczesnym aplikacjom wykorzystującym topologię flyback. W stosunku do obecnie stosowanych technologii, inżynierowie chcący skorzystać z nowej oferty Infineon, będą mogli cieszyć się zwiększoną wydajnością, a także znacznie sprawniejszym (szybszym) przełączaniem się, jak zapewnia producent. Do zalet CoolMOS zaliczyć można bardzo niskie straty (Eoss, oraz Rds(ON)*Eoss), a także niskie wartości Qg, Eon i Eoff. Jak czytamy w notatce producenta, w stosunku do technologii C6, CoolMOS ma być o 6% wydajniejsze. Poprawiono też gospodarkę termiczną. Skutkuje to lepszą pracą układu i mniejszym nagrzewaniem się. W porównaniu do innych tranzystorów, CoolMOS miałyby być o 12 stopni mniej nagrzane. Na uwagę zasługuję także niska wartość napięcia bramki (Vgs), które wynosić może 3 V. Komponenty te miałyby też dodatkowo sprzyjać budowie układów, które miałyby spełniać wymogi EMC. Są też odporniejsze na wyładowania ESD. Pracować mogą z napięciami do 700 V. Dodatkową ochroną ma być wbudowana dioda Zenera. Zastosowaniem mogą być aplikacje domowe, oświetleniowe, audio, itd. Sposób ich sterowania ma być prosty, co ma także uprościć budowę gotowych aplikacji, a przy tym poprawić ich wydajność. Jak podaje producent, zastosowanie CoolMOS ma też sprzyjać osiąganiu bardzo dobrych wartości współczynnika mocy.