reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 07 września 2016

Nowy tranzystor GaN-HEMT dużej mocy dla wydajnych transceiverów

Nowy tranzystor od Mitsubishi Electric to większa moc i sprawność, oddawana ze stosunkowo niewielkiego komponentu. Można będzie przy tym uprościć system chłodzenia, zmniejszając BOM aplikacji.
Firma Mitsubishi Electric opracowała nowy tranzystor o wysokiej mobilności elektronów, opartym na azotku galu: GaN-HEMT (od ang. „Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor”).

Nowy komponent zaprojektowano z myślą o zastosowaniu go w nowoczesnych stacjach nadawczych (transceiverów) 4G, które pracować mają z częstotliwościami 2.6 GHz. Cechować ma go wysoka wydajność.

Dostarczyć może mocy sięgającej 220 W. Warto przy tym wspomnieć, że jego wymiary to około 10 na 10 mm. Jest to możliwe dzięki osiągnięciu wysokiej sprawności (drenu), sięgającej nawet 74%.

Większa sprawność, to także mniejsze zapotrzebowanie na chłodzenie, co oznacza że możliwe będzie zbudowanie mniejszych, a przy tym też prostszych i tańszych systemów chłodzenia. To z kolei pozwoli obniżyć koszty budowy gotowej aplikacji.

Pierwsze próbki nowego tranzystora będą dostępne dopiero w listopadzie tego roku (2016).

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 22 2017 10:36 V8.6.0-1