reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 09 listopada 2015

96% sprawności w MOSFET'ach z super-junction na 1500 V

Inżynierowie STMicroelectronics odwalili kawał dobrej roboty łącząc najnowsze technologie tranzystorów MOSFET. Są wydajne energetycznie, dynamicznie, wytrzymałe i o bardzo dobrym FoM.
Firma STMicroelectronics zaprezentowała nowe tranzystory MOSFET przeznaczone do pracy w wysoce wydajnych źródłach zasilania. Nowe komponenty serii MDmesh K5 mają być pierwszymi takimi tranzystorami, które łączą technologię 'super-junction' z możliwością pracy z napięciem 1500 V (napięcie przełamania dren-źródło).

Nowym komponentom udało się także zredukować możliwie najniżej rezystancję Rds(ON), a także ładunek Qg. Ma to zaowocować najlepszą wartością FoM (Figure of Merit), spośród wszystkich komponentów tego typu, na rynku.

Mogą obsługiwać moce od 75 do 230 W (a w przyszłości możliwe, że nawet więcej). Przyczynić się mają do budowy wydajnych zasilaczy dla urządzeń wymagających ciągłej i niezawodnej pracy, jak np. automatyka przemysłowa, serwery, itd. Zastosowane technologie pozwalać mają na osiągnięcie świetnej wydajności dynamicznej przy przełączaniu, jak czytamy w notatce producenta.

Tranzystory te mogą być wykorzystywane przy zasilaczach różnych typów i pracujących w różnych topologiach (w tym flyback, LCC, itd.). Ich sprawność szacuje się na 96%. Pierwszymi przedstawicielami nowej linii tranzystorów mają być komponenty oznaczone symbolami STW12N150K5 oraz STW21N150K5. Oferują wydajność prądową odpowiednio 7 i 14 A, a także niski ładunek bramki 47 nC i niską rezystancję 0.9 Ω .

Komponenty te dostać możemy w obudowie TO-247 w cenie od 14 USD przy zamówieniach hurtowych.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-2