reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Samsung Komponenty | 18 sierpnia 2015

Samsung: 256 gigabitowa pamięć flash 3D V NAND

Firma Samsung uruchomiła masową produkcję pierwszej w branży 256 gigabitowej (Gb) pamięci flash w trójwymiarowej pionowej architekturze NAND (3D V-NAND).
- Trzecia generacja pamięci flash V NAND to obecnie najbardziej zaawansowane rozwiązanie w zakresie technologii pamięciowych, o wyjątkowo wysokiej wydajności i efektywności energetycznej. Wykorzystując w pełni możliwości technologii V NAND firmy Samsung, rozszerzamy naszą ofertę podzespołów wysokiej klasy przeznaczonych dla przedsiębiorstw i centrów danych, a także dla użytkowników prywatnych – powiedział Young-Hyun Jun, President of the Memory Business w Samsung Electronics.

Nowa 256-gigabitowa pamięć flash 3D V NAND firmy Samsung ma dwukrotnie większą gęstość w porównaniu z tradycyjnymi 128 gigabitowymi kościami pamięci flash. Oprócz możliwości zapisania 32 gigabajtów (256 gigabitów) danych w pojedynczej kości nowy moduł pozwala także na podwojenie pojemności oferowanych obecnie dysków SSD Samsung.

W nowym układzie V NAND każda komórka wykorzystuje tę samą strukturę trójwymiarowej pułapki ładunku (CTF), w której komórki tworzą pionową 48-warstwową masę połączoną elektrycznie przez około 1,8 mld kanałów wykonanych specjalną techniką wytrawiania. Łącznie układ zawiera ponad 85,3 mld komórek. Każda z nich może przechowywać 3 bity danych, do daje w sumie 256 mld bitów, czyli 256 gigabitów danych – w układzie o wielkości porównywalnej z opuszkiem palca.

256-gigabitowa 48-warstwowa pamięć flash V NAND z 3 bitowymi MLC zużywa o 30 procent mniej energii z porównaniu ze 128-gigabitową 32-warstwową pamięcią z 3 bitowymi MLC przy tej samej ilości zapisanych danych. Sam proces produkcji nowej pamięci jest wydajniejszy o około 40 procent w porównaniu z technologią produkcji wersji 32 warstwowej, co pozwoli zwiększyć konkurencyjność kosztową na rynku SSD przy wykorzystaniu w większości tego samego sprzętu.

Samsung zamierza produkować pamięci V NAND trzeciej generacji przez resztę 2015 roku, aby przyspieszyć popularyzację dysków półprzewodnikowych o pojemności od 1 terabajta wzwyż. Wprowadzając dyski SSD o pojemności 2 terabajtów i większej dla użytkowników prywatnych, Samsung planuje także zwiększenie sprzedaży wielkopojemnych dysków SSD z najnowocześniejszymi interfejsami PCIe NVMe i SAS dla przedsiębiorstw i centrów danych.

---
Źródło: Samsung
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-2