Żywotne IGBT o zmniejszonych stratach przy przełączaniu

Firma STMicroelectronics zaprezentowała nowe tranzystory IGBT przeznaczone do pracy z napięciem do 1200 V. Do ich stworzenia wykorzystano drugą generację technologii bramek typu Trench, tworząc komponenty pracujące z wysokimi częstotliwościami przełączania. Praca z prędkością ponad 20 kHz jest też możliwa dzięki redukcji strat przy załączaniu (o 30%) i wyłączaniu (o 15%) tranzystorów, m.in. za sprawą wykorzystania w/w technologii. Napięcie nasycenia również pomniejszono do 2.1 V (przy nominalnym prądzie pracy w temperaturze 100 stopni Celsjusza). Sprawia to, że tranzystory te można zaliczyć do bardzo efektywnych. Pracować mogą również w trudnych warunkach. Zastosowaniem mogą być falowniki (np. inwertery solarne), zasilacze różnego rodzaju, konwerterach PFC, itd. Szybka dioda zwrotna również ma pomóc w zmniejszaniu strat i odpowiednio zadbać o tranzystor. Dodatkowe specjalne elementy zabezpieczające pozwalają uchronić komponent przed chwilowym przeciążeniem (nawet 4-krotnym) czy też mikrozwraciami (do 5 us). Maksymalna temperatura złącza wynieść może nawet 175 stopni Celsjusza. Efektywnej pracy cieplnej sprzyjać ma szeroki obszar SOA. Kolejnymi usprawnieniami ma być lepsza odporność na EMI, dodatni współczynnik temperaturowy dla Vce(sat), itp. W ofercie (serii H) znajdziemy komponenty przeznaczone do pracy z prądem 15, 25 i 40 A. Tranzystory dostać będzie można w cenie od 2.18 USD przy zamówieniu 1000 sztuk w obudowie TO-247.