reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Przemys艂 elektroniczny | 10 marca 2011

Hynix do艂膮cza do programu Sematech 3-D

Hynix Semiconductor Inc zosta艂 cz艂onkiem programu Sematech 3D Interconnect dzia艂aj膮cym przy College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) na Uniwesytecie w Albany, w Nowym Jorku. Producent zamierza przede wszystkim skupi膰 si臋 na rozwoju technologii TSV (through-silicon-vias) i rozwoju pami臋ci DRAM o szerokim interfejsie I/O.
Po艂udniowokorea艅ski Hynix b臋dzie wsp贸艂pracowa膰 z in偶ynierami z Sematech, by wsp贸lnie zaj膮膰 si臋 infrastruktur膮 przemys艂u i deficytem na rynku materia艂贸w i urz膮dze艅. Przez lata, producent my艣la艂 o chipach 3D, dzia艂aj膮cych w oparciu o technologi臋 TSV (through-silicon-vias). Za wyj膮tkiem wybranych produkt贸w, takich jak czujniki obrazu CMOS, technologia ta nie rozwin臋艂a si臋 tak jak si臋 tego spodziewano, g艂贸wnie za spraw膮 wysokich koszt贸w i braku okre艣lonych standard贸w. Teraz, producenci chip贸w zamierzaj膮 zaj膮膰 si臋 wykorzystaniem chip贸w 3D opartych o TSV w pami臋ci DRAM I/O, z g艂贸wnym przeznaczeniem dla telefon贸w kom贸rkowych i urz膮dze艅 pochodnych. Niedawno Sematech, SIA, i SRC og艂osili program nap臋du przemys艂owej standaryzacji i specyfikacji technicznej dla heterogenicznej integracji 3-D. Wielu producent贸w pami臋ci, jak Hynix i Samsung, pr贸buje pom贸c w rozwoju technologii. - Integracja 3D daje wi臋ksz膮 wydajno艣膰 i funkcjonalno艣膰, przy jednoczesnym obni偶eniu koszt贸w. Dzi臋ki do艂膮czeniu do programu Sematech 3D Interconnect i wsp贸艂pracy z partnerami z bran偶y, mo偶emy oczekiwa膰, 偶e odegramy kluczow膮 rol臋 w przyspieszeniu komercjalizacji pami臋ci DRAM z szerokim interfejsem I/O i wykorzystaniu potencja艂u 3D jako taniej drogi do wzrostu wydajno艣ci p贸艂przewodnik贸w - powiedzia艂 Sung Joo Hong, dyrektor dzia艂u bada艅 i rozwoju firmy Hynix.
reklama
reklama
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-1