Raytheon będzie rozwijał technologie azotku galu

Jest to kolejna umowa po kontrakcie Title III na technologię GaN zrealizowanym w 2013 roku i ma na celu usprawnienie działania, poprawę wydajności produkcji oraz zwiększenie niezawodności szerokopasmowych, monolitycznych, mikrofalowych obwodów scalonych i cyrkulatorów wytwarzanych przez Raytheon z wykorzystaniem technologii azotku galu. GaN to materiał półprzewodnikowy, który efektywnie wzmacnia sygnały radiowe dużej mocy w mikrofalowym zakresie częstotliwości, zwiększając w ten sposób zasięg systemu, a jednocześnie ograniczając jego rozmiary, wagę, pobór prądu i koszty. GaN jest używany w szerokiej gamie wojskowych radarów i systemów obronnych, takich jak Air and Missile Defense Radar i Next Generation Jammer, przeznaczonych dla Marynarki Wojennej Stanów Zjednoczonych. - Jesteśmy dopiero na początku drogi, jeśli chodzi o wykorzystanie mocy, jaką przełomowa technologia azotku galu może zapewnić w zastosowaniach militarnych – powiedział Colin Whelan, wiceprezes ds. zaawansowanych technologii w dziale zintegrowanych systemów obrony firmy Raytheon. – Nowy kontrakt stanowi kontynuację dorobku 17 lat prac firmy Raytheon nad technologią GaN, w które zainwestowaliśmy ponad 200 milionów dolarów. W ciągu następnych dwóch lat ulepszymy proces wytwarzania GaN, aby zwiększyć efektywność wykorzystania częstotliwości radiowej, przy jednoczesnym utrzymaniu, a nawet zwiększaniu wydajności produkcji i zapewnianiu niezawodności tych układów. Demonstrator nowej technologii zostanie zastosowanyw systemie Next Generation Jammer tworzonym przez Raytheon Space i Airborne Systems, który ma wejść do wstępnej, ograniczonej produkcji w 2018 roku. Źródło: Raytheon