© grzegorz-kula-dreamstime.com
Przemysł elektroniczny |
Według informacji Samsunga układ pamięci charakteryzuje się transferem danych na poziomie 400 Mbps i bardzo wysokim stopniem upakowania danych. Chipy są przewidziane do zastosowań w kartach pamięci i dyskach SSD. W zeszłym roku w listopadzie Samsung rozpoczął produkcję pamięci 64 GB MLC NAND flash również w procesie 10 nm.
Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci NAND flash
A dokładniej 3-bitowych kości pamięci MLC (multi-level-cell) NAND flash o pojemności 128 Gb w technologii 10 nm.
Według informacji Samsunga układ pamięci charakteryzuje się transferem danych na poziomie 400 Mbps i bardzo wysokim stopniem upakowania danych. Chipy są przewidziane do zastosowań w kartach pamięci i dyskach SSD. W zeszłym roku w listopadzie Samsung rozpoczął produkcję pamięci 64 GB MLC NAND flash również w procesie 10 nm.
