reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© grzegorz-kula-dreamstime.com Przemysł elektroniczny | 17 kwietnia 2013

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci NAND flash

A dokładniej 3-bitowych kości pamięci MLC (multi-level-cell) NAND flash o pojemności 128 Gb w technologii 10 nm.


Według informacji Samsunga układ pamięci charakteryzuje się transferem danych na poziomie 400 Mbps i bardzo wysokim stopniem upakowania danych. Chipy są przewidziane do zastosowań w kartach pamięci i dyskach SSD. W zeszłym roku w listopadzie Samsung rozpoczął produkcję pamięci 64 GB MLC NAND flash również w procesie 10 nm.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
June 25 2019 20:13 V13.3.22-1