reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 22 listopada 2012

Szósta generacja IGBT o widocznie poprawionej efektywności

Firma Toshiba przedstawiła szóstą generację swoich tranzystorów IGBT na napięcie 600 V. Cechują się niskimi stratami i wyraźnie poprawioną efektywnością w stosunku do poprzedników, pozwalające na budowę wydajnych zasilaczy i układów kontroli silników.

Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowała nową generację swoich superwydajnych tranzystorów IGBT przeznaczonych na napięcie 600 V. Są szybkie, wydajne pod względem prądowym i cechują się niewielkimi stratami. W ofercie znajdziemy takie komponenty jak: GT15J341, GT20J341 , GT30J341 , GT50J342. Kolejne elementy zaprojektowano do pracy z prądami odpowiednio: 15, 20, 30 i 50 A. Oprócz elementu IGBT w ich strukturze znajdziemy szybką diodę. Dwa pierwsze znajdziemy w klasycznej obudowie TO-220SIS, kolejne dwa z kolei w nieizolowanych TO-3P(N) (zgodnymi z TO-247). Porównując dwa ostatnie komponenty z poprzednikami, możemy zauważyć sporą poprawę efektywności i wydajności, bowiem przykładowo; przy prądzie pracy 50 A (i w temperaturze 150 stopni Celsjusza) udało się zredukować Vce(sat) o 32%, Eon o 13% i Eoff o 26%, co z kolei przekłada się na całościową redukcję strat o 24%. Podobnie sprawa wygląda z wersją o wydajności 30 A, całościowe straty wynoszą bowiem 26%.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 20 2019 11:13 V13.1.0-1