reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 22 listopada 2012

Szósta generacja IGBT o widocznie poprawionej efektywno艣ci

Firma Toshiba przedstawi艂a sz贸st膮 generacj臋 swoich tranzystor贸w IGBT na napi臋cie 600 V. Cechuj膮 si臋 niskimi stratami i wyra藕nie poprawion膮 efektywno艣ci膮 w stosunku do poprzednik贸w, pozwalaj膮ce na budow臋 wydajnych zasilaczy i uk艂ad贸w kontroli silnik贸w.
Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowa艂a now膮 generacj臋 swoich superwydajnych tranzystor贸w IGBT przeznaczonych na napi臋cie 600 V. S膮 szybkie, wydajne pod wzgl臋dem pr膮dowym i cechuj膮 si臋 niewielkimi stratami. W ofercie znajdziemy takie komponenty jak: GT15J341, GT20J341 , GT30J341 , GT50J342. Kolejne elementy zaprojektowano do pracy z pr膮dami odpowiednio: 15, 20, 30 i 50 A. Opr贸cz elementu IGBT w ich strukturze znajdziemy szybk膮 diod臋. Dwa pierwsze znajdziemy w klasycznej obudowie TO-220SIS, kolejne dwa z kolei w nieizolowanych TO-3P(N) (zgodnymi z TO-247). Por贸wnuj膮c dwa ostatnie komponenty z poprzednikami, mo偶emy zauwa偶y膰 spor膮 popraw臋 efektywno艣ci i wydajno艣ci, bowiem przyk艂adowo; przy pr膮dzie pracy 50 A (i w temperaturze 150 stopni Celsjusza) uda艂o si臋 zredukowa膰 Vce(sat) o 32%, Eon o 13% i Eoff o 26%, co z kolei przek艂ada si臋 na ca艂o艣ciow膮 redukcj臋 strat o 24%. Podobnie sprawa wygl膮da z wersj膮 o wydajno艣ci 30 A, ca艂o艣ciowe straty wynosz膮 bowiem 26%.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 22 2019 14:26 V12.2.6-2