reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 10 września 2012

Wysokoprądowy MOSFET o niskiej rezystancji dla układów logicznych

Firma NXP zaprezentowała nowy tranzystor MOSFET, który sterowany może być z mikrokontrolera, dzięki technologii NextPower. Dodatkowymi zaletami jest niska rezystancja (2,95 mΩ), niewielka obudowa, wysoka temp. pracy, napięcie przewodzenia do 30 V i prąd do nawet 70 A.

Firma NXP wprowadza na rynek nowe tranzystory MOSFET na napięcie 30 V, przeznaczone do bezpośredniej pracy z układami logicznymi. Sterowane bowiem mogą być napięciem (Vge) 4.5 V, dzięki zastosowanej technologii superzłączowej NextPower. Zastosowaniem ma być sprzęt telekomunikacyjny, urządzenia przemysłowe i domowe, takie jak konwertery DC-DC, regulatory obciążenia, itp. Poza wyżej wymienionymi cechami, tranzystory te cechują się również bardzo niskimi wartościami ładunków Qg, Qgd i Qoss, dla jeszcze lepszej efektywności przy obciążeniach dużych, jak i małych. Napięcie Vds, jak już wspomnieliśmy wynieść może 30 V. Prąd drenu, według not producenta, wynieść może nawet 70 A. Całkowita moc rozpraszana to maksymalnie 91 W. Temperatura pracy (złącza) zawiera się w przedziale od -55 do 175 stopni Celsjusza. Rezystancja Rds(on) uzależniona jest od napięcia sterującego. Wynieść może nawet 2,95 mΩ, przy Vge wynoszącym 10 V. Przy napięciu sterowania 4,5 V, rezystancja ta wynosi niewiele więcej, bo około 3,3 mΩ. Tranzystor dostaniemy w obudowie SOT1120 (LFPAK33).
Załaduj więcej newsów
September 20 2019 17:48 V14.4.1-1