Wysokoprądowy MOSFET o niskiej rezystancji dla układów logicznych

Firma NXP wprowadza na rynek nowe tranzystory MOSFET na napięcie 30 V, przeznaczone do bezpośredniej pracy z układami logicznymi. Sterowane bowiem mogą być napięciem (Vge) 4.5 V, dzięki zastosowanej technologii superzłączowej NextPower. Zastosowaniem ma być sprzęt telekomunikacyjny, urządzenia przemysłowe i domowe, takie jak konwertery DC-DC, regulatory obciążenia, itp. Poza wyżej wymienionymi cechami, tranzystory te cechują się również bardzo niskimi wartościami ładunków Qg, Qgd i Qoss, dla jeszcze lepszej efektywności przy obciążeniach dużych, jak i małych. Napięcie Vds, jak już wspomnieliśmy wynieść może 30 V. Prąd drenu, według not producenta, wynieść może nawet 70 A. Całkowita moc rozpraszana to maksymalnie 91 W. Temperatura pracy (złącza) zawiera się w przedziale od -55 do 175 stopni Celsjusza. Rezystancja Rds(on) uzależniona jest od napięcia sterującego. Wynieść może nawet 2,95 mΩ, przy Vge wynoszącym 10 V. Przy napięciu sterowania 4,5 V, rezystancja ta wynosi niewiele więcej, bo około 3,3 mΩ. Tranzystor dostaniemy w obudowie SOT1120 (LFPAK33).