© ermess-dreamstime.com
Komponenty |
Mocowy tranzystor LDMOS na pasmo do 1 GHz
Firma NXP zaprezentowała swój nowy tranzystor o mocy 160 W, mogący pracować w paśmie od 920 do 960 MHz. Producent deklaruje wysoką wydajność.
Firma NXP przedstawiła swój nowy tranzystor LDMOS, przeznaczony do pracy we wzmacniaczach RF dużej mocy. Moc pojedynczego tranzystora BLF8G10L-160 sięga 160 W, przy wzmocnieniu równym 1 dB. Zaprojektowany został do pracy na paśmie od 920 do 960 MHz.
Cechuje się również wysoką wydajnością i odpornością, a także niską wartością rezystancji termicznej Rth, wynoszącej około 0,50 K/W. Maksymalne wzmocnienie wynieść może niecałe 20 dB.
Typowe straty wewnętrzne to około -15 dB. Sprawność sięga 29%. Zmniejszono również pojemności pasożytnicze, w stosunku do poprzedników i produktów konkurencji. Ma to się przełożyć na większą wydajność w aplikacjach Doherty. Nie zabrakło tu również zabezpieczeń ESD.
Całość udało się zmieścić w obudowie SOT520.