reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© ermess-dreamstime.com Komponenty | 27 czerwca 2012

Mocowy tranzystor LDMOS na pasmo do 1 GHz

Firma NXP zaprezentowa艂a sw贸j nowy tranzystor o mocy 160 W, mog膮cy pracowa膰 w pa艣mie od 920 do 960 MHz. Producent deklaruje wysok膮 wydajno艣膰.
Firma NXP przedstawi艂a sw贸j nowy tranzystor LDMOS, przeznaczony do pracy we wzmacniaczach RF du偶ej mocy. Moc pojedynczego tranzystora BLF8G10L-160 si臋ga 160 W, przy wzmocnieniu r贸wnym 1 dB. Zaprojektowany zosta艂 do pracy na pa艣mie od 920 do 960 MHz. Cechuje si臋 r贸wnie偶 wysok膮 wydajno艣ci膮 i odporno艣ci膮, a tak偶e nisk膮 warto艣ci膮 rezystancji termicznej Rth, wynosz膮cej oko艂o 0,50 K/W. Maksymalne wzmocnienie wynie艣膰 mo偶e nieca艂e 20 dB. Typowe straty wewn臋trzne to oko艂o -15 dB. Sprawno艣膰 si臋ga 29%. Zmniejszono r贸wnie偶 pojemno艣ci paso偶ytnicze, w stosunku do poprzednik贸w i produkt贸w konkurencji. Ma to si臋 prze艂o偶y膰 na wi臋ksz膮 wydajno艣膰 w aplikacjach Doherty. Nie zabrak艂o tu r贸wnie偶 zabezpiecze艅 ESD. Ca艂o艣膰 uda艂o si臋 zmie艣ci膰 w obudowie SOT520.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 21 2019 14:28 V12.2.5-1