Mocowy tranzystor LDMOS na pasmo do 1 GHz

Firma NXP przedstawiła swój nowy tranzystor LDMOS, przeznaczony do pracy we wzmacniaczach RF dużej mocy. Moc pojedynczego tranzystora BLF8G10L-160 sięga 160 W, przy wzmocnieniu równym 1 dB. Zaprojektowany został do pracy na paśmie od 920 do 960 MHz. Cechuje się również wysoką wydajnością i odpornością, a także niską wartością rezystancji termicznej Rth, wynoszącej około 0,50 K/W. Maksymalne wzmocnienie wynieść może niecałe 20 dB. Typowe straty wewnętrzne to około -15 dB. Sprawność sięga 29%. Zmniejszono również pojemności pasożytnicze, w stosunku do poprzedników i produktów konkurencji. Ma to się przełożyć na większą wydajność w aplikacjach Doherty. Nie zabrakło tu również zabezpieczeń ESD. Całość udało się zmieścić w obudowie SOT520.