Bardzo mały, małosygnałowy tranzystor

Firma NXP przedstawiła swój najnowszy, przełomowy małosygnałowy tranzystor (BISS) NPN: PBSS2515MB. Cechuje się on bardzo niskim nasyceniem bramki kolektor-emiter Vce-sat, a oprócz tego także wysokim prądem kolektora Ic i Icm. Całość udało się zmieścić w ultra małej obudowie SMD SOT883B, przy spełnieniu wymagań AEC-Q101. Można więc do listy zalet śmiało dopisać wysoką niezawodność tego komponentu. Wysokość to tylko 0,37 mm. Jeśli zaś chodzi o parametry elektryczne; napięcie kolektor-emiter może mieć maksymalną wartość wynoszącą 15 V, zaś prąd kolektora nie powinien przekraczać 500 mA. Wartość chwilowa prądu dla czasu nie większego niż 1 ms to 1 A. Typowa rezystancja nasycenia kolektor-emiter to 360 mΩ. Zastosowaniem mają być konwertery DC-DC małej mocy, ładowarki akumulatorków, zasilanie LEDów podświetlających ekrany, a także jako element wykonawczy w systemach oświetleniowych LED.