reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 31 maja 2012

MOSFET w technologii TrenchMOS spełniający wymagania AEC-Q101

Niezawodność staje się coraz ważniejsza dla producentów sprzętu elektronicznego, dlatego też coraz chętniej sięgają po niezawodne komponenty. Przykładem takich komponentów mogą być nowe MOSFETy, od NXP, spełniające wymagania standardu AEC-Q101.

Firma NXP wprowadza na rynek nowe tranzystory MOSFET, o kanale wzbogaconym typu N, wykonane w technologii TrenchMOS: BUK761R6. Cechują się wysoką niezawodnością pracy, czego potwierdzeniem ma być certyfikat standardu AEC-Q101, jakim te komponenty mogą się pochwalić. Zdolne są do pracy lawinowe, w wyjątkowo trudnych warunkach, gdzie temperatura sięgać może nawet 175 stopni Celsjusza. Przeznaczeniem tych tranzystorów mają być wydajne urządzenia motoryzacyjne wysokiej klasy, zasilane z sieci o napięciu stałym 12 V. Przykładem zastosowań mogą być elektryczne systemy hydrauliczne, sterowanie silnikami prądu stałego, lampami, aplikacje start-stop, kontrola przełożenia, itp. MOSFETy te zapakowano w obudowę SOT404. Maksymalne napięcie dren-źródło wynieść może 40 V, zaś maksymalny prąd drenu dojść może do nawet 120 A. Całkowita moc rozproszenia sięga 357 W. Rezystancja R-DS(on) to średnio 1,3 mΏ. Aby tranzystor się załączył, do bramki należy podać ładunek 48 nC przy napięciu 10 V (podczas gdy V-DS = 32 V).
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 21 2019 15:49 V14.1.4-2