Prototyp wzmacniacza o mocy 100 W przy 14 GHz

Firma Mitsubishi Electric stworzyła prototyp wzmacniacza, zbudowanego na tranzystorze GaN HEMT (High-Electron Mobility Transistor). Tym samym, firma pragnie podbić rynek małych i lekkich transmiterów dla naziemnych stacji, wykorzystujących komunikację satelitarną. Nowy wzmacniacz cechuje się dwukrotnie większą mocą, aniżeli inne produkty GaN, a także czterokrotnie większą mocą, aniżeli wzmacniacze GaAs tego samego producenta. Co więcej, mimo większej mocy, udało się zachować mniejsze rozmiary. Duża moc jest wymagana, by sygnał mógł bez problemów dotrzeć z ziemi do stacji na orbicie naszej planety. Co więcej, rozmiary przy tym muszą być na tyle małe, by ich montaż w terenie był prosty i w miarę możliwości wygodny. Układy GaN zyskują na popularności, pomimo tego, że w większości urządzeń nadal królują komponenty z GaAs. Niemniej jednak GaN mają tę przewagę, że są w stanie znieść dużo wyższe napięcia, są więc także wytrzymalsze na różnego rodzaju przepięcia.