reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 27 kwietnia 2012

Prototyp wzmacniacza o mocy 100 W przy 14 GHz

Firma Mitsubishi Electric pochwaliła się opracowaniem nowego wzmacniacza tranzystorowego GaN HEMT (High-electron Mobility Transistor). Został zaprojektowany aby zapewniać moc 100 W, dla systemów satelitarnych Ku-band (14GHz).
Firma Mitsubishi Electric stworzyła prototyp wzmacniacza, zbudowanego na tranzystorze GaN HEMT (High-Electron Mobility Transistor). Tym samym, firma pragnie podbić rynek małych i lekkich transmiterów dla naziemnych stacji, wykorzystujących komunikację satelitarną.

Nowy wzmacniacz cechuje się dwukrotnie większą mocą, aniżeli inne produkty GaN, a także czterokrotnie większą mocą, aniżeli wzmacniacze GaAs tego samego producenta. Co więcej, mimo większej mocy, udało się zachować mniejsze rozmiary.

Duża moc jest wymagana, by sygnał mógł bez problemów dotrzeć z ziemi do stacji na orbicie naszej planety. Co więcej, rozmiary przy tym muszą być na tyle małe, by ich montaż w terenie był prosty i w miarę możliwości wygodny.

Układy GaN zyskują na popularności, pomimo tego, że w większości urządzeń nadal królują komponenty z GaAs. Niemniej jednak GaN mają tę przewagę, że są w stanie znieść dużo wyższe napięcia, są więc także wytrzymalsze na różnego rodzaju przepięcia.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
June 15 2018 00:12 V9.6.1-2