reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Komponenty | 27 kwietnia 2012

Prototyp wzmacniacza o mocy 100 W przy 14 GHz

Firma Mitsubishi Electric pochwali艂a si臋 opracowaniem nowego wzmacniacza tranzystorowego GaN HEMT (High-electron Mobility Transistor). Zosta艂 zaprojektowany aby zapewnia膰 moc 100 W, dla system贸w satelitarnych Ku-band (14GHz).
Firma Mitsubishi Electric stworzy艂a prototyp wzmacniacza, zbudowanego na tranzystorze GaN HEMT (High-Electron Mobility Transistor). Tym samym, firma pragnie podbi膰 rynek ma艂ych i lekkich transmiter贸w dla naziemnych stacji, wykorzystuj膮cych komunikacj臋 satelitarn膮.

Nowy wzmacniacz cechuje si臋 dwukrotnie wi臋ksz膮 moc膮, ani偶eli inne produkty GaN, a tak偶e czterokrotnie wi臋ksz膮 moc膮, ani偶eli wzmacniacze GaAs tego samego producenta. Co wi臋cej, mimo wi臋kszej mocy, uda艂o si臋 zachowa膰 mniejsze rozmiary.

Du偶a moc jest wymagana, by sygna艂 m贸g艂 bez problem贸w dotrze膰 z ziemi do stacji na orbicie naszej planety. Co wi臋cej, rozmiary przy tym musz膮 by膰 na tyle ma艂e, by ich monta偶 w terenie by艂 prosty i w miar臋 mo偶liwo艣ci wygodny.

Uk艂ady GaN zyskuj膮 na popularno艣ci, pomimo tego, 偶e w wi臋kszo艣ci urz膮dze艅 nadal kr贸luj膮 komponenty z GaAs. Niemniej jednak GaN maj膮 t臋 przewag臋, 偶e s膮 w stanie znie艣膰 du偶o wy偶sze napi臋cia, s膮 wi臋c tak偶e wytrzymalsze na r贸偶nego rodzaju przepi臋cia.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 13 2018 13:08 V11.10.14-1