reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 12 kwietnia 2012

Niewielkie i małostratne MOSFETy

Renesas zaprezentowało osiem małostratnych tranzystorów MOSFET typu P i N, przeznaczone do urządzeń przenośnych, zajmując bardzo mało powierzchni i posiadając rezystancję około 10 mΩ.
O tym, że popularność tabletów i smartphoneów rośnie, nikogo chyba nie trzeba przekonywać. Tak jak o tym, że urządzenia te stają się coraz mniejsze i cieńsze. Aby jednak było to możliwe, trzeba produkować coraz to mniejsze elementy, generujące jak najmniejsze straty, by również czas pracy takich urządzeń nie był zbyt krótki. Naprzeciw tym wymaganiom stara się wyjść Renesas, przedstawiając nowe tranzystory MOSFET.

W ofercie jest 8 tranzystorów na dwa napięcia: 20 V i 30 V (VSS). Układy oznaczono dwoma symbolami ogólnymi, odpowiednio: μPA2600 i μPA2601. Oferują między innymi małą rezystancję włączenia (R_DS(ON)) wynoszącą 9,3 i 10,5 mΩ. A więc generowane straty mają być możliwe małe.

Napięcie sterowania (VGSS) również jest różne, zależnie od serii, wynosi: 4,5 i 10 V. Zajmują bardzo mało miejsca, gdyż umieszczono je w obudowach o wymiarach 2 na 2 mm, co oznacza o 40% mniej od produktów konkurencji (gdzie jest to średnio 3 na 3 mm). Wszystkie produkty są oczywiście przyjazne środowisku, spełniając wymagania normy RoHS.

Mają znaleźć zastosowanie w urządzeniach przenośnych, o czym wspomnieliśmy, w takich podzespołach jak: układy zasilania, ładowania akumulatorów, RF, wzmacniacze i elementy bezpieczeństwa, jak przełączniki, wyłączniki, itp.

Pierwsze próbki dostępne mają być w tym miesiącu, zaś masowa produkcja rozpocznie się dopiero w maju tego roku.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
Załaduj więcej newsów
October 15 2018 23:56 V11.6.0-2