reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq
Komponenty |

Niewielkie i małostratne MOSFETy

Renesas zaprezentowało osiem małostratnych tranzystorów MOSFET typu P i N, przeznaczone do urządzeń przenośnych, zajmując bardzo mało powierzchni i posiadając rezystancję około 10 mΩ.

O tym, że popularność tabletów i smartphoneów rośnie, nikogo chyba nie trzeba przekonywać. Tak jak o tym, że urządzenia te stają się coraz mniejsze i cieńsze. Aby jednak było to możliwe, trzeba produkować coraz to mniejsze elementy, generujące jak najmniejsze straty, by również czas pracy takich urządzeń nie był zbyt krótki. Naprzeciw tym wymaganiom stara się wyjść Renesas, przedstawiając nowe tranzystory MOSFET. W ofercie jest 8 tranzystorów na dwa napięcia: 20 V i 30 V (VSS). Układy oznaczono dwoma symbolami ogólnymi, odpowiednio: μPA2600 i μPA2601. Oferują między innymi małą rezystancję włączenia (R_DS(ON)) wynoszącą 9,3 i 10,5 mΩ. A więc generowane straty mają być możliwe małe. Napięcie sterowania (VGSS) również jest różne, zależnie od serii, wynosi: 4,5 i 10 V. Zajmują bardzo mało miejsca, gdyż umieszczono je w obudowach o wymiarach 2 na 2 mm, co oznacza o 40% mniej od produktów konkurencji (gdzie jest to średnio 3 na 3 mm). Wszystkie produkty są oczywiście przyjazne środowisku, spełniając wymagania normy RoHS. Mają znaleźć zastosowanie w urządzeniach przenośnych, o czym wspomnieliśmy, w takich podzespołach jak: układy zasilania, ładowania akumulatorów, RF, wzmacniacze i elementy bezpieczeństwa, jak przełączniki, wyłączniki, itp. Pierwsze próbki dostępne mają być w tym miesiącu, zaś masowa produkcja rozpocznie się dopiero w maju tego roku.

reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 28 2024 10:16 V22.4.20-1
reklama
reklama