reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 12 kwietnia 2012

Niewielkie i ma艂ostratne MOSFETy

Renesas zaprezentowa艂o osiem ma艂ostratnych tranzystor贸w MOSFET typu P i N, przeznaczone do urz膮dze艅 przeno艣nych, zajmuj膮c bardzo ma艂o powierzchni i posiadaj膮c rezystancj臋 oko艂o 10 m惟.
O tym, 偶e popularno艣膰 tablet贸w i smartphone贸w ro艣nie, nikogo chyba nie trzeba przekonywa膰. Tak jak o tym, 偶e urz膮dzenia te staj膮 si臋 coraz mniejsze i cie艅sze. Aby jednak by艂o to mo偶liwe, trzeba produkowa膰 coraz to mniejsze elementy, generuj膮ce jak najmniejsze straty, by r贸wnie偶 czas pracy takich urz膮dze艅 nie by艂 zbyt kr贸tki. Naprzeciw tym wymaganiom stara si臋 wyj艣膰 Renesas, przedstawiaj膮c nowe tranzystory MOSFET.

W ofercie jest 8 tranzystor贸w na dwa napi臋cia: 20 V i 30 V (VSS). Uk艂ady oznaczono dwoma symbolami og贸lnymi, odpowiednio: 渭PA2600 i 渭PA2601. Oferuj膮 mi臋dzy innymi ma艂膮 rezystancj臋 w艂膮czenia (R_DS(ON)) wynosz膮c膮 9,3 i 10,5 m惟. A wi臋c generowane straty maj膮 by膰 mo偶liwe ma艂e.

Napi臋cie sterowania (VGSS) r贸wnie偶 jest r贸偶ne, zale偶nie od serii, wynosi: 4,5 i 10 V. Zajmuj膮 bardzo ma艂o miejsca, gdy偶 umieszczono je w obudowach o wymiarach 2 na 2 mm, co oznacza o 40% mniej od produkt贸w konkurencji (gdzie jest to 艣rednio 3 na 3 mm). Wszystkie produkty s膮 oczywi艣cie przyjazne 艣rodowisku, spe艂niaj膮c wymagania normy RoHS.

Maj膮 znale藕膰 zastosowanie w urz膮dzeniach przeno艣nych, o czym wspomnieli艣my, w takich podzespo艂ach jak: uk艂ady zasilania, 艂adowania akumulator贸w, RF, wzmacniacze i elementy bezpiecze艅stwa, jak prze艂膮czniki, wy艂膮czniki, itp.

Pierwsze pr贸bki dost臋pne maj膮 by膰 w tym miesi膮cu, za艣 masowa produkcja rozpocznie si臋 dopiero w maju tego roku.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 11 2018 23:40 V11.10.6-2