ReRAM – pierwsze nieulotne i superszybkie pamięci rezystancyjne

Inżynierom z Elpidy udało się stworzyć pierwsze prototypowe konstrukcje pamięci ReRAM, które wykonane zostały w procesie technologicznym 50 nm. Jak zapewniają przedstawiciele firmy, jest to rezystancyjna pamięć nieulotna nowego typu. Cechuje się wysoką gęstością poszczególnych tablic komórek pamięciowych, których liczba sięga 64 megabitów. Prototyp powstał przy współpracy z firmą NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization), instytucji finansowanej przez rząd Japonii. Do pracy nad tym projektem włączyła się również firma Sharp, naukowcy z Uniwersytetu Tokijskiego, a także AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology – kolejna finansowana przez rząd Japonii instytucja). ReRAM (Resistive Random Access Memory) ma być nową generacją półprzewodnikowych pamięci, które do pracy wykorzystują materiały zmieniające swoją rezystancję pod wpływem zmian przyłożonego napięcia. Warto dodać, że opracowana technologia uczyniła te pamięci nieulotnymi, a więc dane są w niej przechowywane nawet wtedy, gdy nie są zasilone. Co więcej, wysokie prędkości zapisu i odczytu mogą być realizowane przy użyciu bardzo niskich napięć, co ma przyczynić się do znacznego obniżenia zużycia energii. Nowy typ pamięci ma stanowić następcę układów DRAM i NAND. W przeciwieństwie do tych pierwszych, dane zapisane pozostają po zaniku zasilania, a w stosunku do NAND, technologia ReRAM oferować ma dużo wyższy transfer. Może być on nawet większy niż w przypadku DRAM. Czas zapisu nie powinien przekroczyć 10 ns. Jak mówią sami twórcy, ReRAM łączy w sobie zalety obu wspomnianych typów, eliminując ich wady. Dzięki niskiemu zużyciu energii, pamięć ReRAM znaleźć ma zastosowanie nie tylko w komputerach PC, ale także w tabletach i smartfonach. Już niedługo ruszyć ma także kampania marketingowa, która reklamować ma nowy typ pamięci, jako następcę dla DRAM. Pytanie kiedy sprzedaż ruszy na masową skalę, a produkt ujrzymy na sklepowych półkach.