© Vishay
Komponenty |
Podwójne MOSFETy o niewielkich wymiarach i małym Rds(on)
Vishay rozszerza swoją rodzinę układów PowerPair. Nowe asymetryczne podwójne MOSFETy umieszczone w pojedynczej obudowie przeznaczone są do pracy niskonapięciowych (<30 V) konwerterach.
Vishay rozszerzyło swoją rodzinę tranzystorów PowerPair o nowe podwójne tranzystory MOSFET. SiZ910DT i SiZ300DT to MOSFETy umieszczone w obudowach PowerPair o wymiarach odpowiednio 3 na 3 mm i 6 na 5 mm. Mogą pracować z prądami 10 i 20 A. Pierwszy z nich zajmuje jedną trzecią powierzchni drugiego.
© Vishay
Kolejnymi nowościami w tej rodzinie są tranzystory o symbolach: SiZ710DT, SiZ728DT, SiZ790DT i SiZ730DT. Ich wydajność prądowa zbliżona jest do poprzednich modeli, zważywszy na obudowy, w jakich zostały umieszczone: PowerPair o wymiarach 6 na 3,5 mm.
Różnią się dostępnym wyposażeniem i parametrami. Na przykład w tranzystorach SiZ790DT umieszczona została dedykowana dioda zwrotna Schottkiego, a SiZ71(/3)0DT cechuje się najniższą wartością rezystancji Rds(on). Przeznaczone są do pracy z napięciem do 30 V (zalecany przez producenta zakres to od 20 do 30 V).
© Vishay
Kolejnymi nowościami w tej rodzinie są tranzystory o symbolach: SiZ710DT, SiZ728DT, SiZ790DT i SiZ730DT. Ich wydajność prądowa zbliżona jest do poprzednich modeli, zważywszy na obudowy, w jakich zostały umieszczone: PowerPair o wymiarach 6 na 3,5 mm.
Różnią się dostępnym wyposażeniem i parametrami. Na przykład w tranzystorach SiZ790DT umieszczona została dedykowana dioda zwrotna Schottkiego, a SiZ71(/3)0DT cechuje się najniższą wartością rezystancji Rds(on). Przeznaczone są do pracy z napięciem do 30 V (zalecany przez producenta zakres to od 20 do 30 V).
