Tranzystory eGaN na wysokie częstotliwości

Nowe tranzystory FET od Efficient Power Conversion Corp. wyprodukowano w technologii eGaN. Tranzystory EPC2014 wykonane zostały z zachowaniem wszelkich norm dotyczących RoHS, materiałów bezołowiowych (lead-free) i bez związków halogenowych. Tranzystory te zajmują powierzchnię około 1.9 mm2, przy maksymalnym napięciu Dren-Źródło na poziomie 40 V prądu stałego. Bardzo niska rezystancja R_DS wynosząca z porywie 16 mΩ, sprzyja redukcji strat, a więc mniejszym grzaniu się tranzystora. Bramką sterujemy napięciem 5V. Przez tranzystor możemy przepuścić ciągły prąd o natężeniu 10 A. Impulsowy chwilowy prąd może natomiast wzrosnąć do natężenia 40 A. Dzięki zastosowaniu materiału eGaN, zyskujemy wysoką wydajność pracy, a także to, że temperatura złącza może dojść do 155 stopni Celsjusza bez ryzyka uszkodzenia tranzystora. Układ nada się do przetwornic zasilających DC-DC, wzmacniaczy audio klasy D i wszelkich układów mocy pracujących przy wysokich częstotliwościach. Jego cena kształtuje się w okolicach 1.12 dolara, przy zamówieniach w liczbie 1000 sztuk.