© AW
Komponenty |
Pamięć FRAM w wydaniu Fujitsu
Układy FRAM mają łączyć w sobie szybkość zapisu pamięci SRAM, z długim czasem zapisu pamięci Flash, by sprostać trudnym wymaganiom, jakie stawia się nowoczesnym urządzeniom w przemyśle, automatyce czy miernictwie. Zgodność z kośćmi EEPROM, czy interfejs komunikacyjny SPI, to tylko przykładowe zalety tych układów.
Układy serii MB85RSxxx zostały zaprezentowane przez firmę Fujitsu. Są to układy pamięciowe typu FRAM, czyli wykorzystujące do zapisu danych, zjawisko ferromagnetyczne. Popyt na takie pamięci w ostatnim czasie znacznie wzrósł, szczególnie w układach automatyki (przemysłowej) czy mierniczych.
Cechują się bowiem one znaczną szybkością zapisu danych w porównaniu do pamięci Flash, porównywalną z pamięci SRAM, a także długim czasem przechowywania danych w stanie nienaruszonym – do 10 lat. Dodatkowo, kostki FRAM są odporne na działanie niemalże każdego rodzaju promieniowania, generowanego w warunkach normalnej pracy urządzeń (radioaktywnego czy magnetycznego).
Wśród dostępnych przez Fujitsu kości pamięciowych FRAM, znajdziemy 3 różniące się dostępną pojemnością: 256, 128 i 64 Kbity (oznaczenia pojemności w nazwie komponentu). Pracować mogą na częstotliwości 25 MHz, a do komunikacji wykorzystano interfejs SPI.
Układy są w stanie przechowywać informacje przez 10 lat w temperaturze 55 stopni Celsjusza. Zasilane mogą być z napięcia od 3 do 3.6 V. Można zapisywać na nich dane nawet 10 miliardów razy, bez ryzyka uszkodzenia. Ta cecha również przewyższa możliwości pamięci Flash (np. NAND).
Kostki będzie można dostać w obudowie SOP z 8-ma wyprowadzeniami. Umożliwić ma to kompatybilność z pamięciami EEPROM. Firma Fujitsu jednocześnie zapowiedziała pojawienie się w niedługim czasie podobnych układów pamięciowych, które do komunikacji wykorzystają zostanie interfejs I2C.
