reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© wrangler dreamstime.com Rynek komponentów | 26 kwietnia 2017

DDR4 najpopularniejsze w艣ród DRAM

Uk艂ady DDR4 stanowi艂y a偶 45% pami臋ci DRAM sprzedanych w 2016 roku, w por贸wnaniu z 20% udzia艂em w rynku w roku 2015.
W dw贸ch poprzednich latach prym wiod艂y uk艂ady DDR3 DRAM, w艂膮czaj膮c w to niskomocowe komponenty do tablet贸w czy smartfon贸w. W 2014 roku stanowi艂y one 84% rynku DRAM, a w 2015 roku 鈥 76%. Jednak w ubieg艂ym roku ceny pami臋ci DDR4 DRAM zbli偶y艂y si臋 do poziomu 艣rednich cen sprzeda偶y uk艂ad贸w DDR3. Eksperci firmy analitycznej IC Insights zwracaj膮 te偶 uwag臋 na fakt, 偶e coraz wi臋cej mikroprocesor贸w obs艂uguje obecnie pami臋ci DDR4, czego efektem b臋dzie dominacja tych w艂a艣nie uk艂ad贸w na rynku DRAM. W 2017 roku uk艂ady DDR4 i DDR3 艂膮cznie maj膮 stanowi膰 a偶 97% rynku DRAM (odpowiednio: 58% i 39%). Od po艂owy 2016 roku 艣rednie ceny sprzeda偶y (ASP) pami臋ci DRAM ros艂y w szybkim tempie. Od kwietnia 2016 roku do lutego 2017 DRAM ASP wzros艂y o 54%, z 2,41 USD do 3,70 USD. W zwi膮zku z tym analitycy IC Insights szacuj膮, 偶e warto艣膰 rynku DRAM w 2017 roku wzro艣nie o 39% do 57,3 mld USD. Ceny tych uk艂ad贸w maj膮 nadal i艣膰 w g贸r臋 w nadchodz膮cych miesi膮cach, chocia偶 nie tak szybko, jak mia艂o to miejsce w okresie od kwietnia ubieg艂ego roku. Niemniej pr臋dzej czy p贸藕niej ceny pami臋ci zaczn膮 wyhamowywa膰. By膰 mo偶e zaczniemy to obserwowa膰 ju偶 w drugiej po艂owie bie偶膮cego roku, a to za spraw膮 inwestycji Samsunga i SK Hynix w moce produkcyjne DRAM. Nowa fabryka Samsunga w Pyeongtaek, w Korei Po艂udniowej ma ruszy膰 w drugiej po艂owie 2017 roku. Fab 18 z mocami produkcyjnymi na poziomie 300 tys. wafli 300 mm miesi臋cznie, ma by膰 wyposa偶ona w pi臋膰 linii produkcyjnych, na kt贸rych wytwarzane b臋d膮 przede wszystkim uk艂ady DRAM. Na pocz膮tku fabryka ma produkowa膰 w 18 nm procesie technologicznym. SK Hynix natomiast w Fab M14 w Korei Po艂udniowej oraz w fabryce w chi艅skim Wuxi dysponuje mocami produkcyjnymi na poziomie 280 tys. wafli 300 mm miesi臋cznie. Firma wytwarza wi臋kszo艣膰 swoich uk艂ad贸w DRAM w procesie 21 nm, ale zamierza rozpocz膮膰 produkcj臋 w technologiach poni偶ej 20 nm jeszcze w tym roku, dzi臋ki czemu zmniejszy koszty oraz zwi臋kszy liczb臋 chip贸w produkowanych z jednego pod艂o偶a krzemowego. 殴r贸d艂o: 漏 IC Insights
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 20 2019 12:04 V12.2.3-1