reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 09 grudnia 2016

Zintegrowane i dobrze zabezpieczone MOSFET-y

Firma Infineon rozwija swoją ofertę tranzystorów, przedstawiając bardzo ciekawą propozycję, jaką są HITFET. Są to komponenty nie tylko wydajne, ale i wysoce zintegrowane, posiadając kilka wbudowanych zabezpieczeń, jak również funkcję, wznawiającą pracę tranzystora.

Wczoraj pisaliśmy o bardzo ciekawym kontrolerze mostka od Infineon Technologies. Układ ten cechować się miał wysoką wydajnością, w połączeniu z dedykowanymi tranzystorami. Elementami tymi mogłyby być tranzystory HITFET+ tego samego producenta. HITFET ma być określeniem wysoce zintegrowanego tranzystora MOSFET z wbudowanymi zabezpieczeniami termicznymi i nie tylko. Są to komponenty przeznaczone do pracy po stronie wtórnej układu sterującego („low side”). Wbudowane zabezpieczenia chronić mają te tranzystory przed przegrzaniem, skutkami zwarć, przeciążenia, a także skutkami wyładowań ESD. Wbudowana funkcja ‘auto-restart; zadba o samoczynne wznowienie pracy komponentu, gdy minie zagrożenie. Portfolio tej serii ma się cechować dużą skalowalnością, odpowiadając na różne potrzeby projektantów gotowych aplikacji. Komponenty podzielono na dwie grupy: standard („S”) oraz pełne („F” - „Fully featured”). Ma to odpowiadać oznaczeniom serii odpowiednio: BTS3xxx oraz BTF3xxx. Dostępne mają być w obudowach TDSO-8. Warto wspomnieć, że są to obudowy mniejsze, od standardowo stosowanych obudów w tego typu komponentach (odpowiednio o 50% mniejsze od DPAK oraz o 35% od SOT223). Oferowane mają być także w obudowie TO252-x. Tranzystory te cechować się mają też wysoką wydajnością, w tym niską wartością rezystancji Rds(ON), która wynosić ma od 125 mΩ do 35 mΩ. Posiadać mają też wyprowadzenie informujące o poprawnej pracy komponentu (tylko dla obudowy TDSO-8). Mają posiadać też kwalifikację motoryzacyjną, co potwierdza ich wysoką niezawodność.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
October 22 2019 20:26 V14.6.0-1