reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 21 października 2016

Nowe, szybsze U-MOS

Nowe tranzystory MOSFET od Toshiby mają być najlepsze w swojej klasie, pod względem oferowanej rezystancji Rds(ON) oraz Coss. Dzięki temu są wydajne, szybkie i generują niewielkie straty.

Firma Toshiba Electronics Europe zaprezentowała rozwinięcie swojej rodziny U-MOS IX-H o nowe, superszybkie tranzystory MOSFET. Mowa tu o komponentach oznaczonych jako TK3R1E04PL oraz TK3R1A04PL. Przeznaczone są do pracy w systemach o napięciu do 40 V. Jak podaje producent, ich zastosowanie pomoże ograniczyć zużywanie energii oraz poprawi ogólną wydajność, takich aplikacji jak: konwertery DC/DC, czy też zasilacze AC/DC SMPS. Obsługiwać mają prądy o natężniu do 100 i 82 A odpowiednio dla w/w komponentów. Warto też zwrócić uwagę na niski poziom rezystancji Rds(ON), która wynosić ma 2.5 mΩ, oraz typową wartość Coss wynoszącą około 1000 pF. Ma to pozwalać na widoczną redukcję strat i możliwość szybszego przełączania się tranzystora. Wszystko po to, by zapewnić jak najlepsze parametry wśród komponentów w swojej klasie. Nie zabrakło tu wbudowanej diody zwrotnej. Pracować mogą w temperaturach do 175 stopni Celsjusza. Dostępne mają być w obudowach TO-220 (drugi z układów w TO-220SIS).
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 06 2019 20:55 V14.1.1-1