- Obecnie firma XMC produkuje głównie pamięć NOR Flash – moce produkcyjne to 20 tys. wafli na miesiąc – mówi Sean Yang, dyrektor badań w dziale DRAMeXchange firmy analitycznej TrendForce. – Rozpoczęcie budowy nowej fabryki to olbrzymi krok w rozwoju firmy. XMC ma duże ambicje dotyczące biznesu pamięci NAND Flash, co więcej chiński rynek pamięci wchodzi właśnie w następną fazę rozwoju po dwóch latach prac przygotowawczych – dodaje Yang. Inwestycja chińskiego producenta półprzewodników rozpocznie się pod koniec marca. Nowa fabryka ma rozpocząć masową produkcję w 2018 roku, a jej moce produkcyjne mają sięgnąć 200 tys. wafli miesięcznie. XMC chce wypuścić na rynek swoje układy 3D NAND Flash na przełomie 2017 i 2018 roku i dzięki szybkiemu wdrażaniu nowej technologii, chiński producent zamierza szybko dogonić rywali – zauważa ekspert TrendForce. Inni dostawcy pamięci również nie próżnują i zwiększają moce produkcyjne w Chinach. Przykładem jest Intel, który przekształca fabrykę w Dalian w zakład produkujący pamięci. Spółka wyda na ten cel nawet 5,5 mld USD, a fabryka zacznie działać jeszcze w tym roku. W tej chwili jedynym producentem, który masowo produkuje pamięci 3D NAND Flash jest Samsung, który jednocześnie zgarnął znaczący udział w rynku PC-OEM. Co więcej, koreański producent zaplanował już komercyjną premierę trzeciej generacji pamięci 3D NAND Flash, zaplanowaną na drugą połowę bieżącego roku, czyli na czas, gdy markowi producenci notebooków będą robili zakupy do nowych modeli swoich produktów. Inni dostawcy pamięci również wyznaczyli już harmonogram dotyczący wprowadzania kości 3D NAND Flash. TrendForce prognozuje, że chipów wyprodukowane w innowacyjnych technologiach będą stanowiły 20% światowej produkcji pamięci NAND Flash w 2016 roku, co oznacza olbrzymi wzrost w porównaniu z 6% z 2015 roku. Jak widać w poniższej tabeli, u Samsung ten odsetek przekroczy 40%. Pamięci 3D NAND zaprezentowały w zeszłym roku firmy Intel i Micron. Jak zapewniają producenci, nowe chipy są do 1000 razy szybsze i trwalsze, niż obecne pamięci flash. Pamięci 3D NAND charakteryzują się beztranzystorową architekturą, opartą na krzyżowej strukturze tworzącej trójwymiarową szachownicę, w której poszczególne komórki mogą być indywidualnie adresowane. W rezultacie dane mogą być odczytywane w małych porcjach, dzięki czemu proces zapisu i odczytu może być szybszy i wydajniejszy. Źródło: © TrendForce