reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© 4designersart dreamstime.com Rynek komponentów | 02 marca 2016

Rywalizacja Samsunga i Microna na rynku pami臋ci flash

Podczas tegorocznej konferencji ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) pomi臋dzy dwoma gigantami przemys艂u elektronicznego, firmami Micron i Samsung, wywi膮za艂a si臋 swoista walka na parametry ich nowych pami臋ci flash.
Micron przedstawi艂 nowatorsk膮 architektur臋 pami臋ci, kt贸ra teoretycznie ma szans臋 przebi膰 tr贸jwymiarow膮 pami臋膰 wertykaln膮 NAND od Samsunga, ich wiod膮cy produkt w艣r贸d pami臋ci nieulotnych.

Micron zaprezentowa艂 768-Gigabitow膮 pami臋膰 3D NAND, wykorzystuj膮c膮 technologi臋 p艂ywaj膮cej bramki, pozwalaj膮cej na zapisanie 3 bit贸w informacji w jednej kom贸rce pami臋ci. Pod matryc膮 flash mieszcz膮 si臋 uk艂ady kontrolne, pozwalaj膮ce uzyska膰 g臋sto艣膰 nawet 4,29 Gbit/mm2. Technika umieszczania takich obwod贸w pod g艂贸wn膮 matryc膮 pami臋ci, daj膮ca mo偶liwo艣膰 wyj膮tkowo g臋stego upakowania jej kom贸rek, zosta艂a opracowana kilka lat temu przez Matrix Semiconductor i jest stosowana obecnie przez kilku producent贸w, m.in. przez SanDisk. Dla por贸wnania 鈥 uk艂ady 256Gbit 3D NAND od Samsunga o najwi臋kszym zag臋szczeniu informacji, osi膮gaj膮 dzi艣 2,6 Gbit/mm2, natomiast planarne struktury pami臋ci NAND, oferowane obecnie przez wi臋kszo艣膰 producent贸w, osi膮gaj膮 obecnie upakowanie zaledwie 1 Gbit/mm2. Mened偶erowie Microna nie podj臋li jednak jeszcze oficjalnej decyzji, czy wy偶ej opisana architektura trafi na lini臋 produkcyjn膮.

Technologia p艂ywaj膮cej bramki ju偶 od d艂u偶szego czasu by艂a wykorzystywana przez producent贸w w pami臋ciach planarnych. Samsung oraz kilku innych producent贸w wykorzysta艂o nieco inne podej艣cie w pami臋ciach 3D NAND, zwane technologi膮 pu艂apkowania 艂adunku (CTF 鈥 Charge Trapping Flash), kt贸re jest na sw贸j spos贸b prostsze do realizacji, jednak jest rozwi膮zaniem o wiele dro偶szym. Obecnie nieop艂acalno艣膰 tej metody w stosunku do technologii u偶ywanej w uk艂adach planarnych NAND jest g艂贸wn膮 wad膮 pami臋ci 3D i przyczyn膮, z powodu kt贸rej nie wypar艂a ona starszych architektur.

Uk艂ad od Microna jest stosunkowo du偶y, zajmuje powierzchni臋 a偶 179,2 mm2 (pami臋膰 od Samsunga jest prawie dwukrotnie mniejsza 鈥 97,6 mm2). Nie jest to jednak wyj膮tek w 艣wiecie pami臋ci NAND, poniewa偶 na rynku znajduj膮 si臋 obecnie uk艂ady o podobnych rozmiarach.

Pami臋膰 firmy Micron charakteryzuje si臋 du偶膮 szybko艣ci膮 odczytu: 800 Mb/s, natomiast pami臋膰 od Samsunga mo偶e by膰 odczytywana z pr臋dko艣ci膮 178 Mb/s. Jednak偶e je艣li chodzi o szybko艣膰 zapisu, to lepszymi parametrami cechuje si臋 uk艂ad od Samsunga, dla kt贸rego szybko艣膰 ta wynosi 53 Mb/s, a dla pami臋ci Microna 44 Mb/s.
Nowa architektura od Microna ma te偶 inn膮 znacz膮c膮 wad臋. Obecnie pami臋膰 wykorzystuje operacje na du偶ych, 96-Megabitowych blokach danych, nie jest mo偶liwe cz臋艣ciowe zapisanie lub wyczyszczenie takiego bloku. Ma to korzystny wp艂yw na wielko艣膰 matrycy pami臋ci, mo偶e ona zachowa膰 niewielkie wymiary. Jednak istniej膮 na rynku aplikacje, kt贸re nie s膮 przystosowane do pos艂ugiwania si臋 tak du偶ymi porcjami informacji.

Samsung na tegorocznej konferencji ISSCC r贸wnie偶 zaprezentowa艂 sw贸j nowy uk艂ad NAND. By艂a to 48-warstwowa pami臋膰 wertykalna, uk艂ad 3D NAND trzeciej generacji, o podwojonym zag臋szczeniu w stosunku do prezentowanej w zesz艂ym roku pami臋ci 32-warstwowej. Wcze艣niej przedstawiciele Samsunga twierdzili, 偶e s膮 w stanie wyprodukowa膰 pami臋ci o nawet 100 warstwach, jednak obecnie producent k艂adzie nacisk na zag臋szczenie powierzchniowe takich uk艂ad贸w.

Z艂o偶on膮 kwesti膮 przy konstrukcji takich pami臋ci jest 艂膮czenie ich warstw. Zwykle robi si臋 to wytrawiaj膮c w uk艂adach g艂臋bokie otwory, przechodz膮ce przez kolejne warstwy, kt贸re nast臋pnie wype艂nia si臋 spoiwem. Stosunkowo du偶y przekr贸j takich kana艂贸w u艂atwia ich produkcj臋, ale charakteryzuj膮 si臋 one ni偶sz膮 rezystancj膮 linii s艂owa WL.

- Obecnie nie ma zgodno艣ci co do tego, kt贸ra technologia przewa偶y 鈥 pu艂apkowanie 艂adunku Samsunga, czy technologia p艂ywaj膮cej bramki Microna, ale osobi艣cie stawia艂bym na pu艂apkowanie, poniewa偶 technologia p艂ywaj膮cej bramki wi膮偶e si臋 z wieloma trudno艣ciami- stwierdzi艂 obecny na konferencji Eli Harari, za艂o偶yciel firmy SanDisk. Jednak偶e Harari zwr贸ci艂 te偶 uwag臋 na to, 偶e technologia p艂ywaj膮cej bramki jest obecnie w powszechnym u偶yciu przy produkcji planarnych pami臋ci NAND i zar贸wno Micron, jak i SanDisk, posiadaj膮 wiele patent贸w w oparciu o t臋 technologi臋. Z kolei analityk Jim Handy z Objective Analysis zauwa偶y艂, 偶e jak dot膮d jedynym producentem, kt贸ry odni贸s艂 d艂ugotrwa艂y sukces w produkcji uk艂ad贸w w oparciu o metod臋 pu艂apkowania 艂adunku jest Spansion, dla kt贸rego uk艂ady te stanowi膮 oko艂o 80% sprzedawanych produkt贸w.

Zdaniem Harari, bior膮c pod uwag臋 czterokrotnie wi臋ksze zag臋szczenie w nowych uk艂adach Microna, w stosunku do obecnych na rynku pami臋ci planarnych, nie nale偶y si臋 dziwi膰 gotowo艣ci producenta do bardzo du偶ych inwestycji w nowy projekt
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
December 11 2018 12:50 V11.10.5-2