reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 08 stycznia 2016

Motoryzacyjne tranzystory FET 500 V

Nowe motoryzacyjne tranzystory MOSFET od ST cechuj膮 si臋 bardzo dobrymi parametrami, takimi jak: og贸lna sprawno艣膰, czas Trr, niska warto艣膰 Eoff nawet przy du偶ych pr膮dach, itd. Dost臋pne s膮 w wielu wariantach.
Firma STMicroelectronics zaprezentowa艂a now膮 rodzin臋 wysokonapi臋ciowych tranzystor贸w MOSFET z kana艂em typu N. S膮 to komponenty przeznaczone do zastosowania w motoryzacji. Posiadaj膮 odpowiedni膮 kwalifikacj臋, AEC-Q101. Zbudowane zosta艂y w oparciu o technologi臋 super-z艂膮czow膮 MDmesh DM2 i tak te偶 s膮 okre艣lane. Jest tu te偶 wbudowana szybka dioda zwrotna. Przy budowie tych komponent贸w, chciano osi膮gn膮膰 jak najlepsze wyniki wydajno艣ciowe i dobre parametry Trr/Qrr. Tranzystory te maj膮 tak偶e nada膰 si臋 do zastosowania tam, gdzie wymaga si臋 鈥瀖i臋kkiej鈥 komutacji. Nowa rodzina MOSFET'贸w od ST cechuje si臋 najlepszym parametrem Eoff (energia wy艂膮czenia) przy wysokich pr膮dach pracy, jak podaje producent. Na uwag臋 zas艂ugiwa膰 ma tak偶e og贸lna sprawno艣膰 i zredukowana emisja EMI. Mo偶na by wi臋c u偶y膰 mniejszych komponent贸w filtruj膮cych. Tranzystory te maj膮 pom贸c w budowie aplikacji bardziej 鈥瀦ielonych鈥. Poprawia si臋 bowiem ich sprawno艣膰, ilo艣膰 zu偶ywanej energii maleje, a same urz膮dzenia mog膮 by膰 mniejsze. 艁adunek bramki to oko艂o 44 nC. Pojemno艣膰 wej艣ciowa to oko艂o 1850 pF. Czas Trr wynosi typowo 120-135 ns. Komponenty zamkni臋to w obudowach: D2PAK, TO-220 i TO-247. Ich cena zaczyna si臋 od 3 do 10 USD (zale偶nie od modelu) przy zam贸wieniu na 1000 sztuk.
reklama
reklama
Za艂aduj wi臋cej news贸w
February 15 2019 09:57 V12.1.1-1