96% sprawności w MOSFET'ach z super-junction na 1500 V

Firma STMicroelectronics zaprezentowała nowe tranzystory MOSFET przeznaczone do pracy w wysoce wydajnych źródłach zasilania. Nowe komponenty serii MDmesh K5 mają być pierwszymi takimi tranzystorami, które łączą technologię 'super-junction' z możliwością pracy z napięciem 1500 V (napięcie przełamania dren-źródło). Nowym komponentom udało się także zredukować możliwie najniżej rezystancję Rds(ON), a także ładunek Qg. Ma to zaowocować najlepszą wartością FoM (Figure of Merit), spośród wszystkich komponentów tego typu, na rynku. Mogą obsługiwać moce od 75 do 230 W (a w przyszłości możliwe, że nawet więcej). Przyczynić się mają do budowy wydajnych zasilaczy dla urządzeń wymagających ciągłej i niezawodnej pracy, jak np. automatyka przemysłowa, serwery, itd. Zastosowane technologie pozwalać mają na osiągnięcie świetnej wydajności dynamicznej przy przełączaniu, jak czytamy w notatce producenta. Tranzystory te mogą być wykorzystywane przy zasilaczach różnych typów i pracujących w różnych topologiach (w tym flyback, LCC, itd.). Ich sprawność szacuje się na 96%. Pierwszymi przedstawicielami nowej linii tranzystorów mają być komponenty oznaczone symbolami STW12N150K5 oraz STW21N150K5. Oferują wydajność prądową odpowiednio 7 i 14 A, a także niski ładunek bramki 47 nC i niską rezystancję 0.9 Ω . Komponenty te dostać możemy w obudowie TO-247 w cenie od 14 USD przy zamówieniach hurtowych.